[发明专利]一种半导体器件的绝缘层的制备方法在审
| 申请号： | 201811057365.2 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110890314A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王莹;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 绝缘 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的绝缘层的制备方法，包括前驱体材料与溶剂的混合物的施用步骤、去除所述溶剂的烘烤步骤以及所述前驱体材料向绝缘材料的转变步骤，其特征在于，所述烘烤步骤中，以50～70℃为起始温度，通过两段或两段以上的阶段升温方式进行烘烤。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烘烤步骤依次分为60～110℃下的低温烘烤步骤以及130～180℃下的高温烘烤步骤。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述低温烘烤步骤通过一段或一段以上的阶段升温方式进行，总烘烤时间为90～120s；和/或
所述高温烘烤步骤通过一段或一段以上的阶段升温方式进行，总烘烤时间为90～120s。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烘烤步骤依次分为60～80℃下的第一烘烤步骤、100～120℃下的第二烘烤步骤以及130～180℃下的第三烘烤步骤。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一烘烤步骤通过一段或一段以上的阶段升温方式进行，总烘烤时间为60～80s；和/或
所述第二烘烤步骤通过一段或一段以上的阶段升温方式进行，总烘烤时间为60～80s；和/或
所述第三烘烤步骤通过一段或一段以上的阶段升温方式进行，总烘烤时间为60～80s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述施用步骤中的施用方式为沉积、旋转涂布、狭缝涂布或喷墨印刷。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为用于填充隔离沟槽的二氧化硅层、氮化硅层中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体材料为含硅聚合物，所述溶剂为酯类溶剂。
9.一种半导体器件，包括由权利要求1-6任一项所述的制备方法制得的绝缘层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层为用于填充隔离沟槽的二氧化硅层、氮化硅层中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
