[发明专利]一种基于半导体技术的温控电路

权利要求书

1.一种基于半导体技术的温控电路，包括电容C1、单向可控硅VS1、双向可控硅VS2、加热片RL、二极管D1和三极管VT1，所述电容C1一端分别连接电阻R7、加热片RL和220V交流电一端，电容C1另一端分别连接二极管D1正极和电阻R7另一端，加热片RL另一端连接双向可控硅VS2的T1极，二极管D1负极分别连接二极管VD负极、继电器J线圈、电阻R8、蜂鸣器B和电阻R1，其特征在于，电阻R1另一端分别连接电阻R2和电阻R3，电阻R2另一端分别连接电阻R4、继电器K触点K-1和电阻R6，电阻R6另一端连接三极管VT1基极，三极管VT1集电极连接蜂鸣器B另一端，三极管VT1发射极分别连接220V交流电另一端、双向可控硅VS2的T2极、二极管VD正极、单向可控硅VS的K极、三极管VT2发射极、电容C2、电位器RP1一端和电容C3，电容C3另一端分别连接电阻R4另一端和单向可控硅VS1的G极，单向可控硅VS1的A极连接发光二极管LED负极，发光二极管LED正极连接继电器J线圈另一端。

2.根据权利要求1所述的基于半导体技术的温控电路，其特征在于，所述三极管VT2集电极分别连接电阻R8另一端和双向可控硅VS2的G极。

3.根据权利要求1或2所述的基于半导体技术的温控电路，其特征在于，三极管VT2基极连接电阻R5，电阻R5另一端分别连接电容C2另一端和二极管D2负极，二极管D2正极分别连接继电器K触点K-1另一端、继电器K触点K-2、电位器RP1滑片和电位器RP1另一端，继电器K触点K-1另一端连接电阻R3另一端。

4.根据权利要求1所述的基于半导体技术的温控电路，其特征在于，所述二极管VD为稳压二极管。

5.根据权利要求3所述的基于半导体技术的温控电路，其特征在于，所述继电器K触点K-1为常闭触点。

6.根据权利要求3所述的基于半导体技术的温控电路，其特征在于，所述继电器K触点K-2为常开触点。

7.根据权利要求1所述的基于半导体技术的温控电路，其特征在于，所述电阻R2和电阻R3均为PTC电阻。