[发明专利]一种倒装发光二极管芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201811059192.8 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109326686A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 韩涛;徐瑾;白城镇 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223800 江苏省宿迁市宿迁经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 一次电极 倒装发光二极管芯片 生长 二次钝化层 金属层 外延层 刻蚀 膜系 薄膜 透明导电薄膜 布儒斯特角 电流阻挡层 低折射率 交错堆叠 金属电极 次电极 钝化层 衬底 制作 清洗 取出 | ||
1.一种倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括如下几个步骤：
1）使用MOCVD生长外延层，从下至上依次是PSS衬底、u-GaN、N-GaN、MQW、P-EBL、P-GaN；
2）将外延层清洗干净之后进行ICP刻蚀，刻蚀出N区；
3）在P-GaN上生长电流阻挡层和透明导电薄膜；
4）沉积一次电极；
5）生长钝化层，沉积温度200℃~250℃；
其中，钝化层经PECVD设备处理；
6）沉积一次DBR薄膜，薄膜由高、低折射率的材料交错堆叠；
7）刻蚀DBR，将一次电极露出，然后在DBR上面沉积部分金属电极与一次电极相连；
8）生长二次钝化层；
9）在二次钝化层上生长第二次DBR，第二次DBR要求与第一次DBR不同的膜系，也是由高、低折射率的材料交错堆叠而成；
10）将二次DBR也刻到金属层，用金属层与三次电极相连。
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤3）中电流阻挡层为SiO2、MgO、Al2O3中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤3）中透明导电薄膜为掺杂的ZnO薄膜、掺杂的SnO2薄膜的一种或两种；
其中，掺杂的SnO2薄膜的成分为：In2O3和SnO2，质量比mIn：mSn=95:5。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤4）中一次电极为Al或Au的多层结构。
5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤5）中钝化层表面含有薄膜，薄膜的成分为SiO2、Al2O3、MgO、SiNx的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤6）中高折射率材料为TiO2、Ti3O5、HfO2或ZrO2中的一种；低折射率材料为MgO、MgF2、SiO、SiNx或Al2O3中的一种。
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