[发明专利]一种复合式磁控溅射沉积台有效
| 申请号： | 201811060180.7 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109207945B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 丁红;乔宪武 | 申请（专利权）人： | 杭州联芳科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州经济技术开发区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 磁控溅射 沉积 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合式磁控溅射沉积台，母沉积台（4）和子沉积台（5），其特征在于：母沉积台（4）固定在真空室（1）内部下方，且位置在磁控溅射装置（2）的正下方，子沉积台（5）通过电机装置连接到母沉积台（4）上方，并且子沉积台（5）的台面能够水平转动，电声换能装置（3）固定在母沉积台（4）上，与子沉积台（5）的台面水平，电声换能装置（3）通过连接件（33）固定在母沉积台（4）上，扩散口（31）水平对准子沉积台（5）上方加工物体，扩散口（31）与母沉积台（4）相对位置通过连接件（33）调节，扩散口（31）处通保护气体，保护气体在声波作用下，作用子沉积台（5）上方加工物体。
2.根据权利要求1所述一种复合式磁控溅射沉积台，其特征在于：功率放大器（35）和信号发生器（36）通过导线（34）控制扩散口（31）处声波功率。
3.根据权利要求2所述一种复合式磁控溅射沉积台，其特征在于：功率放大器（35）和信号发生器（36）隐藏在真空室（1）外部。
4.根据权利要求2或3所述一种复合式磁控溅射沉积台，其特征在于：通过控制功率放大器（35）和信号发生器（36），能够间歇性控制声波发射。
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