[发明专利]处理被加工物的方法

权利要求书

1.一种处理被加工物的方法，其特征在于：

所述被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模，该掩模提供开口，

所述方法包括：

在所述被加工物上形成钨膜的步骤，该钨膜包括沿着划分出所述开口的所述掩模的侧壁面延伸的第1区域和在所述基底膜上延伸的第2区域；

以保留所述第1区域除去所述第2区域的方式执行所述钨膜的等离子体蚀刻的步骤；和

使用所述掩模和所述第1区域上保留的所述钨膜执行所述基底膜的蚀刻的步骤，

所述形成钨膜的步骤包括：

为了在所述被加工物上沉积含钨的前体，而向所述被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和

为了向所述被加工物上的所述前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述形成钨膜的步骤中执行多次循环，该多次循环中的每一个循环包括所述供给前体气体的步骤和所述生成氢气的等离子体的步骤。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述前体气体为卤化钨气体。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述前体气体为六氟化钨气体。

5.一种处理被加工物的方法，其特征在于：

所述被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模，该掩模提供开口，

所述方法包括：

在所述被加工物上形成钨膜的步骤，该钨膜包括沿着划分出所述开口的所述掩模的侧壁面延伸的第1区域和在所述基底膜上延伸的第2区域；和

以保留所述第1区域除去所述第2区域的方式执行所述钨膜的等离子体蚀刻的步骤，

所述形成钨膜的步骤包括：

为了在所述被加工物上沉积含钨的前体，而向所述被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和

为了向所述被加工物上的所述前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤，

所述被加工物包括含硅膜、设置在该含硅膜上的有机膜、设置在该有机膜上的含硅的防反射膜、和设置在该防反射膜上的抗蚀剂掩模，

所述含硅膜包括由硅形成的第1膜和设置在该第1膜上的第2膜，该第2膜由氧化硅形成，

所述基底膜为所述防反射膜，设置在所述基底膜上的所述掩模为所述抗蚀剂掩模，

所述方法还包括：

在执行了所述钨膜的等离子体蚀刻的所述步骤之后，执行所述防反射膜的等离子体蚀刻的步骤；

执行所述有机膜的等离子体蚀刻，由所述有机膜形成有机掩模的步骤；

执行所述第2膜的等离子体蚀刻的步骤；

除去所述有机掩模的步骤；和

执行所述第1膜的等离子体蚀刻的步骤。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：

所述形成钨膜的步骤和所述执行所述钨膜的等离子体蚀刻的步骤，在所述除去所述有机掩模的步骤与所述执行所述第1膜的等离子体蚀刻的步骤之间执行。