[发明专利]高压切换电路、对应设备和方法有效
申请号: | 201811062073.8 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN109474261B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | I·B·米拉贝拉;A·A·亚历山德罗 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 切换 电路 对应 设备 方法 | ||
本公开涉及高压切换电路、对应设备和方法。第一和第二比较器接收相反极性的输入信号并且响应于此驱动开关的切换操作。第一电流发生器向开关提供第一电流,开关响应于第一和第二比较器的控制交替地向第一节点或第二节点施加第一电流。第二电流发生器吸收(sink)来自第一节点的第二电流,并且第三电流发生器吸收来自第二节点的第三电流。逻辑电路具有分别耦合至第一节点和第二节点的第一输入和第二输入,从中接收具有快速切换波前和延迟切换波前的相应切换信号。逻辑电路包括输出节点并且被配置用于在输出节点的第一状态和第二状态之间切换,通过相应切换信号的快速切换波前来触发第一状态和第二状态之间的切换。
本申请要求2017年9月7日提交的意大利专利申请第102017000100380号的优先权,其以法律允许的最大限度通过引用引入本文。
技术领域
本说明书涉及切换电路。
一个或多个实施例可应用于单片集成电路(IC),其用于在诸如以下的临界条件下进行操作,例如:
-高压(高达200V DC);
-可变环境温度;
-浮置地,诸如在特定空间应用或医疗设备中所使用的;和/或
-继续暴露于电离辐射(例如,具有一定总电离剂量-T.I.D.),空间应用和医疗设备也可能如此。
背景技术
在特定电路(诸如单片集成电路)中,可以观察到切换波前中对称性的可能缺乏。
这可与各种因素有关,诸如:
-由于生产工艺,不同硅晶元之间的统计失配,这会导致特定的电子部件的行为与其他电子部件不同;
-由于电路布局的非理想行为和基本部件的模型而导致的固有设计和/或仿真误差;
-例如由于差分输入偏移、镜像误差、电压发生器的非零输出电阻值、适于实施高压部件的架构的复杂性,架构缺乏对称性;
-由于温度变化而缺乏对称性,这会由于部件的电导率的变化而影响电路行为;
-参考电压和/或供电电压的变化,这会通过影响增益和速度而改变部件的偏置条件和节点动态;和/或
-由于电离辐射的持续吸收(T.I.D.)而导致的基本部件的电参数的变化。
发明内容
尽管该领域有着广泛的活动,但仍然需要进一步改进的解决方案。
一个或多个实施例可涉及对应的设备(例如如前所述,用于空间或医疗应用)和对应的方法。
权利要求是实施例提供的技术教导的组成部分。
一个或多个实施例可以提供以下优点中的一个或多个:
-宽输入电压动态,
-快速切换时间,
-切换波前对称性,
-易于实施,
-使用本身在暴露于电离辐射(T.I.D.)时不会特别执行的高压部件的可能性。
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