[发明专利]一种负向电压传输电路

说明书

本发明公开一种负向电压传输电路，属于集成电路技术领域。所述负向电压传输电路包括核心传输电路、负压检测电路、可变电源控制电路和两个控制信号Ctr1、Ctr2。其中核心传输电路的正向电压连接可变电源控制电路的输出信号；负压检测电路的输出信号作为可变电源控制电路的输入信号；可变电源控制电路的两个输出信号分别作为核心传输电路的输入信号和两个或非门的公共控制信号。通过引入一个负压检测电路实现对被传输负向电压值的实时检测；通过可变电源控制电路来切换核心传输电路的正向电压；在保证负向电压可控传输的情况下，进一步降低了对传输负向电压的MOS器件的耐压要求。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种负向电压传输电路。

背景技术

随着非易失性存储器技术的发展，Flash或作为独立存储器、或作为内嵌存储IP，是目前应用最为广泛的非易失性存储技术。众所周知，Flash是通过热电子发射机理来实现对存储单元的浮栅电荷的收集和释放；通常在flash芯片内部设计有正、负电荷泵电路来产生足够高的电压差，以达到热电子发射的条件，其中涉及到负向电压的传输。相较而言，正向电压传输技术已经比较成熟，而由于受到芯片P型沉底、MOS管栅氧化层厚度等工艺条件的限制，负向电压传输一直都是一个难题。

图1中所示为传统的负向电压传输电路结构，采用2个高压PMOS管(MP1、MP2)和4个高压NMOS管(MN1、MN2、MN3、MN4)来实现对指令信号的锁定和电压传输。但这种电路结构存在一个缺点：对MOS管(PMOS管和NMOS管)的耐压要求较高，MOS管的耐压必须大于电源电压与负向电压绝对值之和。

发明内容

本发明的目的在于提供一种负向电压传输电路，以解决现有的负向电压传输电路对MOS管的耐压要求高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种负向电压传输电路，包括核心传输电路、负压检测电路、可变电源控制电路和两个控制信号Ctr1、Ctr2；其中，

控制信号Ctr1输入第一或非门NOR1的第一输入端，所述第一或非门NOR1的输出端同时接第三NMOS管MN3的漏端和第二或非门NOR2的第一输入端，所述第二或非门NOR2的输出端接第四NMOS管MN4的漏端；

控制信号Ctr2经过非门后输入第一与门AND1的第一输入端，所述第一与门AND1的输出端同时接第三PMOS管MP3的栅极和第五NMOS管MN5的栅极，所述第三PMOS管MP3的漏端和第五NMOS管MN5的漏端同时接所述负压检测电路的输入端和所述第三NMOS管MN3的栅端和所述第四NMOS管MN4的栅端，所述负压检测电路的输出端同时接所述第三PMOS管MP3的源端、所述第一与门AND1的第二输入端和所述可变电源控制电路的输入端，所述可变电源控制电路的输出端输出的信号作为所述核心传输电路的正向电压。

可选的，所述负压检测电路包括比较器和施密特触发器。

可选的，所述可变电源控制电路包括第一反相器INV1和第二反相器INV2，所述第一反相器INV1的输入端接所述负压检测电路的输出端，所述第一反相器INV1的输出端同时接所述第二反相器INV2的输入端、所述第一或非门NOR1的第二输入端和所述第二或非门NOR2的第二输入端。

可选的，所述核心传输电路包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2；其中，