[发明专利]一种存储器的配置方法及配置装置

权利要求书

1.一种存储器上的配置方法，其特征在于，包括：

确定存储器的多个片选中的高电位片选；

读取所述存储器上处于低电位片选的子区域的配置项，并将所述配置项返回写入对应的所述低电位片选的子区域；

当所述存储器的写使能信号处于高电位时，在与所述高电位片选对应的子区域进行配置项的读和/或写；

所述确定存储器的多个片选中的高电位片选中，所述高电位片选的数量为一个。

2.根据权利要求1所述的配置方法，其特征在于，所述在与所述高电位片选对应的子区域进行配置项的读和/或写包括：

将与所述高电位片选对应的子区域上的配置项赋值输出至处理器；和/或

接收处理器输入的下发配置，并将所述下发配置写入与所述高电位片选对应的子区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，任一所述子区域的位宽适于填入所述处理器输入的下发配置。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定存储器的多个片选中的高电位片选之前，还包括：

在一个存储区域上，按宽度配置为多个子区域，一个所述子区域对应一组配置；

为所述每一个子区域设置一个片选。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，多个所述子区域的位宽相等；或多个所述子区域的位宽不完全相等。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器为FPGA的存储器。

7.一种存储器的配置装置，其特征在于，包括：

确定模块，用于确定存储器的多个片选中的高电位片选；

返回模块，用于读取所述存储器上处于低电位片选的子区域的配置项，并将所述配置项返回写入对应的所述低电位片选的子区域；

读写模块，用于当所述存储器的写使能信号处于高电位时，在与所述高电位片选对应的子区域进行配置项的读和/或写；

所述确定存储器的多个片选中的高电位片选中，所述高电位片选的数量为一个。

8.根据权利要求7所述的配置装置，其特征在于，还包括：

配置模块，用于在一个存储区域上，按宽度配置为多个子区域，一个所述子区域对应一组配置；

片选设置模块，用于为所述每一个子区域设置一个片选。