[发明专利]半导体装置结构

说明书

一种半导体装置结构，其包括一半导体基底，具有一阱拾取区及一主动区。阱拾取区及主动区各自包括具有不同导电型的一第一阱区及一第二阱区。第一阱区与第二阱区之间具有阱区边界。一第一鳍部结构位于阱拾取区的第一阱区内，而多个第二鳍部结构位于主动区的第一阱区内。阱区边界与第一鳍部结构之间的最小距离大于阱区边界与多个第二鳍部结构中最靠近阱区边界的一者之间的最小距离。

技术领域

本实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种具有鳍部结构的半导体装置结构。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。而IC材料和设计方面的技术进展也已经产生了多个IC世代。每一世代IC都比前一世代IC具有更小和更复杂的电路。然而，这些进展增加了工艺以及IC制造的复杂度。因应这些进展，IC制造及工艺需要类似的演进。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积的内连装置的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小部件(或线))却减小。

由于半导体工业已发展至纳米技术工艺节点以追求更高装置密度、更高效能及更低成本，因此来自制造与设计双方问题的挑战而造就三维设计的发展，例如鳍式场效应晶体管(fin field transistor,FinFET)。鳍式场效应晶体管(FinFET)以自基底延伸的一薄且垂直的“鳍部”(或鳍部结构)来进行制造，而鳍式场效应晶体管(FinFET)的通道区位于此垂直鳍部内。栅极位于鳍部上方。鳍式场效应晶体管(FinFET)的优点包括降低短通道效应以及具有较高电流。

尽管现行的鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法已普遍适合于其预期目的，然而在所有方面并非能达到全面性的满足。举例来说，当鳍部尺寸(例如，鳍部宽度)以及鳍部与鳍部之间间隔(例如，两相邻鳍部之间距离)缩小时，因具有不同导电型的阱拾取(wellpick-up)区之间交互扩散而增加阱拾取区的电阻值，导致半导体装置的电性效能下降。因此在尺寸要求越来越小下，制造可靠的半导体装置成为一种挑战。

发明内容

一种半导体装置结构，其包括︰一半导体基底，具有一阱拾取区及一主动区，其中阱拾取区及主动区内各自包括具有第一导电型的一第一阱区及具有与第一导电型相反的第二导电型的一第二阱区邻近于第一阱区，使一阱区边界位于第一阱区与第二个阱区之间；一第一鳍部结构，位于阱拾取区的第一阱区内；以及多个第二鳍部结构，位于主动区的第一阱区内。第一鳍部结构与阱区边界隔开一第一距离。第二鳍部结构中最靠近阱区边界的一者与阱区边界隔开一第二距离。第一距离大于第二距离。

一种半导体装置结构，其包括：一阱拾取区，形成于一半导体基底内；一主动区，形成于半导体基底内且邻近于阱拾取区；一第一鳍部结构，形成于阱拾取区的一第一区内；一第二鳍部结构，形成于主动区的一第一区内，其中阱拾取区的第一区与主动区的第一区掺杂第一型的杂质；一第三鳍部结构，形成于拾取区的一第二区内；一第四鳍部结构，形成于主动区的一第二区内，其中阱拾取区的第二区与主动区的第二区掺杂第二型的杂质。第一鳍部结构的一第一侧壁与第三鳍部结构的一第三侧壁之间的距离大于第二鳍部结构的一第二侧壁与第四鳍部结构的一第四侧壁之间的距离。

一种半导体装置结构，其包括：一半导体基底，具有一阱拾取区及相邻于阱拾取区的一主动区；二个第一鳍部结构，彼此相邻地形成于阱拾取区内且隔开一第一距离；二个第二鳍部结构，彼此相邻地形成于主动区内且隔开一第二距离。上述二个第一鳍部结构具有不同的导电型，且上述两个第二鳍部结构具有不同的导电类型。第一距离大于第二距离。

附图说明

图1示出根据一些实施例的具有鳍部结构的半导体装置平面示意图。

图2A至图2F示出根据一些实施例的具有鳍部结构的半导体装置的制造方法于不同阶段的平面示意图。

图3A至图3F沿图2A至图2F的A-A’线示出根据一些实施例的具有鳍部结构的半导体装置的制造方法于不同阶段的剖面示意图。