[发明专利]铸造类单晶制备方法

权利要求书

1.一种铸造类单晶制备方法，其特征在于，包括：

在坩埚底部铺设一层含磷的掺杂剂，以形成一掺杂剂层；

在所述掺杂剂层上铺设一层类单晶籽晶，以形成一引晶层；

将硅料和母合金依次填入所述坩埚内；

将坩埚加热至预设温度，以使所述类单晶籽晶部分熔化。

2.根据权利要求1所述的铸造类单晶制备方法，其特征在于，所述掺杂剂包括磷粉和/或N型母合金。

3.根据权利要求1所述的铸造类单晶制备方法，其特征在于，所述在坩埚底部铺设一层含磷的掺杂剂的步骤之前，所述方法还包括：在所述坩埚的内壁喷涂一层氮化硅涂层。

4.根据权利要求1所述的铸造类单晶制备方法，其特征在于，所述将坩埚加热至预设温度的步骤之后，所述方法还包括：持续对所述坩埚加热并通过一个散热装置对其散热，使其保持所述预设温度。

5.根据权利要求1所述的铸造类单晶制备方法，其特征在于，所述将硅料和母合金依次填入所述坩埚内的步骤包括：将所述坩埚三分之二的容积填入所述硅料后，再将所述母合金填入所述硅料的上端，所述母合金装填完成后，将剩余所述硅料继续装入所述坩埚中。

6.根据权利要求1所述的铸造类单晶制备方法，其特征在于，所述将硅料和母合金依次填入所述坩埚内的步骤之前，所述方法包括：在所述坩埚内部标记填充位置，所述填充位置从所述坩埚的开口处竖直延伸至所述坩埚内部。

7.根据权利要求1所述的铸造类单晶制备方法，其特征在于，铺设的所述类单晶籽晶的宽度小于所述坩埚底部的宽度，且铺设的所述掺杂剂的宽度小于铺设的所述类单晶籽晶的宽度。

8.根据权利要求1所述的铸造类单晶制备方法，其特征在于，所述类单晶籽晶平整铺设于所述坩埚的底部，且相邻两类单晶籽晶之间具有接缝，所述掺杂剂铺设于所述接缝中，以形成所述掺杂剂层。