[发明专利]集成电路封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种集成电路封装结构，其特征在于，所述集成电路封装结构包括：

半导体芯片（1）；

封装层，所述封装层覆盖所述半导体芯片（1），所述封装层包括交替层叠的第一封装层（21）和第二封装层（22），所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）的数量之和至少为N，N不小于3；

在所述封装层的第1至M-1层的膜层中，所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）环绕所述半导体芯片（1）分布，在所述封装层的第M至N层的膜层中，所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）覆盖于所述半导体芯片（1）上，M大于2且不大于N；

所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）中的一个的热膨胀系数为正，所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）中的另一个的热膨胀系数为负；

所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）的热膨胀系数的绝对值相等，所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）的厚度相等，

或者，所述第一封装层（21）的热膨胀系数的绝对值大于所述第二封装层（22）的热膨胀系数的绝对值，所述第一封装层（21）的厚度小于所述第二封装层（22）的厚度，

或者，所述第一封装层（21）的热膨胀系数的绝对值小于所述第二封装层（22）的热膨胀系数的绝对值，所述第一封装层（21）的厚度大于所述第二封装层（22）的厚度。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第一封装层（21）在单位温度变化下的形变量为8-13ppm/℃，所述第二封装层（22）在单位温度变化下的形变量为8-13ppm/℃。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）中的一个为环氧树脂和第一无机化合物的复合材料，所述第一封装层（21）和所述第二封装层（22）中的另一个为环氧树脂和第二无机化合物的复合材料，所述第一无机化合物和所述第二无机化合物的热膨胀系数为负，且所述第一无机化合物的热膨胀系数的绝对值小于所述第二无机化合物的热膨胀系数的绝对值。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路封装结构，其特征在于，所述集成电路封装结构还包括再分布层（3）和焊球（4），所述再分布层（3）包括具有相对的第一侧面和第二侧面，所述半导体芯片（1）和所述封装层位于所述第一侧面上，所述焊球（4）位于所述第二侧面。

5.一种集成电路的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

在封装载体上粘附半导体芯片；

在所述封装载体上，形成交替层叠的第一封装层和第二封装层，得到封装层，所述封装层覆盖所述半导体芯片，所述第一封装层和所述第二封装层中的一个的热膨胀系数为正，所述第一封装层和所述第二封装层中的另一个的热膨胀系数为负，所述第一封装层和所述第二封装层的热膨胀系数的绝对值相等，所述第一封装层和所述第二封装层的厚度相等，或者，所述第一封装层的热膨胀系数的绝对值大于所述第二封装层的热膨胀系数的绝对值，所述第一封装层的厚度小于所述第二封装层的厚度，或者，所述第一封装层的热膨胀系数的绝对值小于所述第二封装层的热膨胀系数的绝对值，所述第一封装层的厚度大于所述第二封装层的厚度，所述第一封装层和所述第二封装层的数量之和至少为N，N不小于3，在所述封装层的第1至M-1层的膜层中，所述第一封装层和所述第二封装层环绕所述半导体芯片分布，在所述封装层的第M至N层的膜层中，所述第一封装层和所述第二封装层覆盖于所述半导体芯片上，M大于2且不大于N。

6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述封装载体的热膨胀系数为0~11ppm/℃。

7.根据权利要求5或6所述的封装方法，其特征在于，所述在所述封装载体上，形成交替层叠的第一封装层和第二封装层，包括：

在所述封装载体上，依次形成交替层叠的至少一层第一封装材料层和至少一层第二封装材料层；

对所述第一封装材料层和所述第二封装材料层进行加热固化，得到交替层叠的第一封装层和第二封装层。