[发明专利]高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201811064886.0 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN109348694B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 苗苗;刘瑞婷;施利毅;冯欣;曹绍梅 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 强度 柔性 支撑 电磁 屏蔽 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜,其特征在于:利用聚多巴胺PDA的粘附作用将银纳米线AgNWs负载在纳米纤维素NFC上,获得形式为AgNWs@PDA-NFC的聚多巴胺改性导电纤维;并通过导电纤维协同插层作用,使块状Ti3C2中的片层进行剥离,增大Ti3C2的插层率和薄层间距,获得单层或2-10层的Ti3C2 MXene纳米片;最后通过正负电荷的静电作用和氢键作用,将一维的AgNWs@PDA-NFC导电纤维素与二维的Ti3C2 MXene纳米片构筑形成三维的具有“砖-泥”结构形式导电网络,通过压滤法,进行一步法组装,形成柔性电磁屏蔽薄膜。
2.根据权利要求1所述高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜,其特征在于:利用聚多巴胺表面邻苯二酚与银纳米线AgNWs的金属键合作用,将银纳米线AgNWs粘附在PDA-NFC表面,获得形式为AgNWs@PDA-NFC的高导电性聚多巴胺改性导电纤维。
3.根据权利要求1所述高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜,其特征在于:通过压滤法,控制压强为0.2~2.0MPa,进行一步法组装,形成柔性电磁屏蔽薄膜。
4.一种权利要求1所述高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
a.将聚多巴胺(PDA)改性纳米纤维素(NFC)分散在至少50mL溶剂中,超声分散得到聚多巴胺-纳米纤维素(PDA-NFC)悬浮液,其中聚多巴胺-纳米纤维素悬浮液中含有聚多巴胺-纳米纤维素(PDA-NFC)的比例为0.01~0.1w/v%;
b.将Ti3C2粉体加入在所述步骤a中制备的聚多巴胺-纳米纤维素悬浮液中,超声至少60min,得到分散稳定的单层或2-10层的Ti3C2 MXene纳米片和聚多巴胺-纳米纤维素的混合悬浮液,其中混合悬浮液中含有Ti3C2的比例为0.01~0.2w/v%;
c.将银纳米线(AgNWs)加入在所述步骤b中制备的混合悬浮液中,进行磁力搅拌至少30min,得到混合均匀Ti3C2 MXene纳米片和形式为AgNWs@PDA-NFC的高导电性聚多巴胺改性导电纤维的最终混合悬浮液,其中最终混合悬浮液中含有AgNWs的比例为0.001~0.01w/v%;
d.将在所述步骤c中制备的最终悬浮液倒入高压压滤机中,调节压强,压滤至不再有滤液流出,取出滤饼真空干燥,得到柔性自支撑电磁屏蔽薄膜。
5.根据权利要求4所述高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜的制备方法,其特征在于:在所述a中,所述纳米纤维素(NFC)采用纳米纤维素纤维、纳米纤维素晶须、再生纳米纤维素中的至少一种一维材料。
6.根据权利要求4所述高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜的制备方法,其特征在于:在所述步骤a中,所述溶剂采用水、乙醇、异丙醇和二甲基亚砜(DMSO)中的至少一种溶剂。
7.根据权利要求4所述高强度柔性自支撑电磁屏蔽薄膜的制备方法,其特征在于:在所述步骤d中,通过压滤法,控制压强为0.2~2.0MPa,进行一步法组装,形成柔性电磁屏蔽薄膜。
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