[发明专利]用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构在审
| 申请号： | 201811066380.3 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109256378A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 韩素娟 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 维持电压 注入区 上层 功率集成电路 电流路径 深N阱 衬底 输出 阴极 集成电路领域 浅槽隔离区 阳极 中间区域 变窄 阻挡 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，包括P型衬底，其特征在于：所述P型衬底上层设有深N阱，所述深N阱上层从一侧到另一侧依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，所述第一N阱上层设有P+注入区，所述第一P阱上层设有浅槽隔离区，所述第二P阱上层设有N+注入区，所述P+注入区引出有阳极，所述N+注入区引出有阴极。
2.根据权利要求1所述的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，其特征在于：所述第一N阱的长度大于所述第一P阱、第二N阱和/或第二P阱的长度。
3.根据权利要求1所述的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，其特征在于：从阳极到阴极的ESD电流泄放路径依次为：P+注入区、第一N阱、深N阱、第二P阱、N+注入区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
