[发明专利]光电传感器及制备方法、基板、OLED显示面板

权利要求书

1.一种用于OLED显示面板的光电传感器，其特征在于，包括：

第一电极；

第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由P型材料和N型材料中的一者形成，所述第一类型半导体层设置在所述第一电极上；

本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧；

第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由P型材料和N型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得所述第二类型半导体层形成减反射膜，沿远离所述本征半导体层方向，多个所述半导体亚层的折射率依次递减，多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧，所述第二电极由透明导电材料形成。

2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一类型半导体层以及所述第二类型半导体层分别独立地由掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一构成。

3.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，多个所述半导体亚层的厚度相等。

4.一种制备光电传感器的方法，所述光电传感器用于OLED显示面板中，其特征在于，包括：

在第一电极上设置第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由P型材料和N型材料中的一者形成；

在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧设置本征半导体层；

在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一层设置第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由P型材料和N型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得所述第二类型半导体层形成减反射膜，沿远离所述本征半导体层方向，多个所述半导体亚层的折射率依次递减，多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8；以及

在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧设置第二电极，所述第二电极由透明导电材料形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一类型半导体层、所述本征半导体层以及所述第二类型半导体层是通过等离子体增强化学气相沉积形成的，

沿远离所述本征半导体层方向，多个所述半导体亚层的折射率依次递减，是通过在沉积过程中控制用于形成所述第二类型半导体层的原料气体的流量而实现的。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述原料气体包括磷烷、硼烷以及硅烷，所述方法进一步包括：

所述第二类型半导体层由N型材料形成，所述原料气体为磷烷或硅烷；

或者，所述第二类型半导体层由P型材料形成，所述原料气体为硼烷或硅烷。

7.一种具有光电传感功能的基板，其特征在于，包括薄膜晶体管以及权利要求1-3任一项所述的光电传感器。

8.根据权利要求7所述的具有光电传感功能的基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底、有源层、绝缘层、栅极、层间介电层、源极和漏极以及平坦化层，

或者，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极以及平坦化层，

所述光电传感器设置在所述平坦化层中，且所述光电传感器中的所述第一电极与所述源极和所述漏极同层同材料设置。

9.一种OLED显示面板，其特征在于，包括权利要求7或8所述的具有光电传感功能的基板。