[发明专利]正型光阻组成物及图案化聚酰亚胺层的形成方法

说明书

本发明提供一种正型光阻组成物及图案化聚酰亚胺层的形成方法，正型光阻组成物包括甲酚型酚醛树脂、重氮萘醌类感光剂以及有机溶剂；以100重量份的该甲酚型酚醛树脂为基准，该重氮萘醌类感光剂的用量为40重量份至60重量份，该甲酚型酚醛树脂中游离甲酚的含量低于2重量百分比，且该甲酚型酚醛树脂以3.5重量百分比至7重量百分比的四甲基氢氧化铵水溶液溶解的碱性溶解速率低于285埃/秒。本发明的正型光阻组成物对聚酰亚胺剥除剂具有优异的耐化学性，能具体提升光阻层对低介电性的聚酰亚胺层的保护能力，从而优化图案化聚酰亚胺层的工艺与品质。

技术领域

本发明关于一种光阻组成物及其图案化方法，尤指一种正型光阻组成物以及利用其图案化聚酰亚胺层的方法。

背景技术

于半导体产业的重分布线路(redistribution layer，RDL)工艺中，通过将聚酰亚胺膜涂布在硅圆片上，将原设计的接点位置(I/O pad)，通过圆片级金属布线工艺和凸块工艺来改变其接点位置，使IC能应用于不同的元件模块。

于半导体工艺中，目前图案化聚酰亚胺膜可透过干式蚀刻(dry etching)或湿式蚀刻(wet etching)方法来实现。其中，干式蚀刻工艺虽能利用电浆移除预定区域的聚酰亚胺膜，以实现图案化的目的；但利用电浆蚀刻低介电性的聚酰亚胺膜却会改变其电性性质，甚而造成短路。

湿式蚀刻工艺可依不同需求选用合适的正型光阻剂(positive photoresist)或负型光阻剂(negative photoresist)来完成。以正型光阻剂为例，于湿式蚀刻工艺中，可利用正型光阻膜保护特定区域的聚酰亚胺膜，再经曝光、显影步骤后，使用特定的聚酰亚胺剥除剂剥除未被正型光阻膜保护的聚酰亚胺膜，再剥除正型光阻膜以实现图案化的目的。然而，目前市面上的正型光阻膜多半存在对聚酰亚胺剥除剂的耐化学性不佳的问题，致使正型光阻膜无法如期保护聚酰亚胺膜，甚而影响图案化聚酰亚胺膜的质量。

发明内容

本发明其中一目的在于改良一种正型光阻组成物，其能大幅提升其光阻层对现有的聚酰亚胺剥除剂的耐化学性，进而提升光阻层对低介电性的聚酰亚胺层的保护能力，以实现图案化聚酰亚胺层的目的。

此外，本发明另一目的在于令正型光阻组成物所形成的光阻层能完整、轻易地被光阻去除剂剥除，以确保其易剥除性，并且避免湿式蚀刻后有光阻残留的问题。

为达成前述目的，本发明提供一种正型光阻组成物，其包括：其包括甲酚型酚醛树脂(cresol-type novolac resin)、重氮萘醌类感光剂以及有机溶剂；以100重量份的该甲酚型酚醛树脂为基准，该重氮萘醌类感光剂的用量为40重量份至60重量份，该甲酚型酚醛树脂中游离甲酚(free cresol)的含量低于2重量百分比，且该甲酚型酚醛树脂以3.5重量百分比(wt％)至7重量百分比的四甲基氢氧化铵水溶液溶解的碱性溶解速率(alkalinedissolution rate，ADR)低于

较佳的，于本发明的正型光阻组成物中，以100重量份的该甲酚型酚醛树脂为基准，该有机溶剂的用量为100重量份至500重量份，较佳为170至230重量份；该重氮萘醌类感光剂的用量为45重量份至55重量份。通过控制正型光阻组成物中各成分的用量，能避免正型光阻组成物发生感光剂析出的现象，以确保其应用性。

较佳的，于本发明的正型光阻组成物中，该甲酚型酚醛树脂以3.5wt％至5wt％的四甲基氢氧化铵水溶液溶解的ADR低于更具体而言，该甲酚型酚醛树脂以3.5wt％的四甲基氢氧化铵水溶液溶解的ADR低于

较佳的，于本发明的正型光阻组成物中，该甲酚型酚醛树脂中游离甲酚的含量可低于1.8wt％，更佳介于1wt％至1.8wt％，再更佳为1.5wt％至1.7wt％。

较佳的，于本发明的正型光阻组成物中，该甲酚型酚醛树脂的重均分子量可为10000至40000。