[发明专利]一种双工作模式的超宽带分布式下混频器

权利要求书

1.一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，包括LO端口、IF端口、RF端口、偏置电压端口，其特征在于，从LO端口到IF端口之间依次连接有第一电抗性部件、第三电抗性部件、第五电抗性部件、低通滤波网络；从RF端口到偏置电压端口之间依次连接有第二电抗性部件、第四电抗性部件、第六电抗性部件；还包括第一共源混频器内核、第二共源混频器内核，第一共源混频器内核的输入端连接在第二电抗性部件与第四电抗性部件连接的线路上，第一共源混频器内核的输出端连接在第一电抗性部件与第三电抗性部件连接的线路上；第二共源混频器内核的输入端连接在第四电抗性部件与第六电抗性部件连接的线路上，第二共源混频器内核的输出端连接在第三电抗性部件与第五电抗性部件连接的线路上。

2.根据权利要求1所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，在第五电抗性部件与低通滤波网络连接的线路上还设置有第七电抗性部件，在第六电抗性部件与偏置电压端口连接的线路上还设置有第八电抗性部件；还包括第三共源混频器内核，第三共源混频器内核的输入端连接在第六电抗性部件与第八电抗性部件之间连接的线路上，第三共源混频器内核的输出端连接在第五电抗性部件与第七电抗性部件之间连接的线路上。

3.根据权利要求2所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，第一电抗性部件、第三电抗性部件、第五电抗性部件、第七电抗性部件、第二电抗性部件、第四电抗性部件、第六电抗性部件、第八电抗性部件分别采用电感性元件L1、电感性元件L2、电感性元件L3、电感性元件L4、电感性元件L5、电感性元件L6、电感性元件L7、电感性元件L8，上述电感性元件取值依次为Ld/2、Ld、Ld、Ld/2、Lg/2、Lg、Lg、Lg/2。

4.根据权利要求2所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，第一共源混频器内核、第二共源混频器内核、第三共源混频器内核分别采用共源晶体管M1、共源晶体管M2、共源晶体管M3；其中，每个共源晶体管的栅极为输入端，漏级为输出端，源级接地。

5.根据权利要求1所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，在第六电抗性部件与偏置电压端口连接的线路上还设置有射频回路。

6.根据权利要求5所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，所述射频回路包括电阻Rt、电容C4，所述电阻Rt一端与第六电抗性部件连接，其另一端与偏置电压端口连接；所述电容C4一端连接在电阻Rt与偏置电压端口连接的线路上，其另一端接地。

7.根据权利要求1所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，还包括平坦性优化网络，平坦性优化网络的输入端与低通滤波网络的输入端连接，平坦性优化网络的输出端接地。

8.根据权利要求7所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，所述平坦性优化网络包括电阻Rm、电感Lm，所述电感Lm一端连接在低通滤波网络的输入端，其另一端与电阻Rm连接，电阻Rm连接电感Lm端的另一端接地。

9.根据权利要求1所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，所述低通滤波网络包括电感Lf、电容Cf，所述电感Lf一端为低通滤波网络的输入端，其另一端与IF端口连接；所述电容Cf一端连接在电感Lf与IF端口连接的线路上，其另一端接地。

10.根据权利要求1所述的一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，其特征在于，在LO端口与第一电抗性部件连接的线路上还设置有隔直电容C1；在RF端口与第二电抗性部件连接的线路上还设置有隔直电容C2。