[发明专利]溅射装置

说明书

本发明提供一种能够降低被处理基板由于以等离子体为起因的紫外线或带电粒子而受到的损害的溅射装置。其特征在于，在靶与被处理基板之间设有遮蔽构件，该遮蔽构件将被处理基板遮蔽，以免被处理基板遭受从靶向被处理基板的传送方向上游侧飞散的溅射粒子，当将穿过中心磁铁的磁极上的所述传送方向中央并沿着与靶表面正交的方向延伸的直线设为中央基准线，将穿过周边磁铁的所述传送方向上游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第一边界线，将穿过周边磁铁的所述传送方向下游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第二边界线时，遮蔽构件的飞散区域侧的端部位于由第一边界线与第二边界线夹持的区域。

技术领域

本发明涉及溅射装置，特别是涉及在靶的背侧配置磁铁，在靶表面附近形成环状的磁通来捕捉电子而使等离子体集中的磁控管类型的溅射装置。

背景技术

在有机EL面板的生产中，为了降低量产成本，使用较大型基板是有效的。在面板的生产时，通常在上部电极的成膜中进行基于电阻加热的蒸镀，但是存在下述问题，即，会受到伴随基板的大型化而使进行成膜的电极膜的膜厚分布的均匀性下降，或者由于熔融的金属的辐射热等而使基底的有机膜或基板的温度上升，从而导致面板的性能下降等影响的问题。

因此，为了解决膜厚分布均匀性的问题以及基于辐射热的性能下降的问题，对基于溅射法的电极的成膜而不是基于真空蒸镀的成膜进行了研讨。

作为以往的溅射装置，例如，已知有专利文献1记载的结构。即，在被处理基板与靶进行相对移动而在被处理基板上成膜的溅射装置中，具备靶和用于在靶的表面形成磁场的磁铁，并构成为在靶的表面附近形成环状的磁通，通过磁通捕捉的电子来促进氩气等的电离而使等离子体集中，提高靶的溅射的效率。

【发明要解决的课题】

然而，在专利文献1的溅射装置中，存在由于以产生的等离子体为起因的紫外线或带电粒子而给基底层带来损害的课题。特别是在基底层形成有有机膜的情况下，损害大。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2016-132807号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够降低被处理基板由于以等离子体为起因的紫外线或带电粒子而受到的损害的溅射装置。

【用于解决课题的方案】

为了实现上述目的，本发明涉及一种溅射装置，所述溅射装置具备：

真空腔室，所述真空腔室被供给非活性气体；

靶，所述靶在该真空腔室内与被处理基板相向配置；

电压施加机构，所述电压施加机构向被处理基板与靶之间施加电压而使其放电；及

磁铁，所述磁铁在所述靶的表面形成磁场，

所述被处理基板与所述靶相对移动，在从所述靶飞散的溅射粒子的飞散区域中通过，由此进行成膜，

所述溅射装置的特征在于，

当将从所述靶观察所述被处理基板时的所述被处理基板的移动方向设为传送方向时，所述磁铁具备沿着与所述传送方向正交的方向延伸的中心磁铁和包围该中心磁铁的周边磁铁，

在所述靶与所述被处理基板之间设有遮蔽构件，该遮蔽构件将被处理基板遮蔽，以免所述被处理基板遭受从所述靶向所述被处理基板的传送方向上游侧飞散的溅射粒子，

当将穿过所述中心磁铁的磁极上的所述传送方向中央并沿着与所述靶表面正交的方向延伸的直线设为中央基准线，并将穿过所述周边磁铁的所述传送方向上游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第一边界线，将穿过所述周边磁铁的所述传送方向下游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第二边界线时，