[发明专利]电阻式存储器装置

说明书

本发明提供一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置被配置成响应于读取命令来输出存储在存储单元中的值，所述电阻式存储器装置包括：单元阵列，包括所述存储单元及参考单元；参考电阻电路，被配置成电连接到所述参考单元；偏移电流源电路，被配置成对被提供到所述参考电阻电路的读取电流加上偏移电流或者从被提供到所述参考电阻电路的所述读取电流汲取所述偏移电流；以及控制电路，被配置成控制所述偏移电流源电路来补偿所述存储单元的电阻的变化。本发明的电阻式存储器装置通过补偿存储单元的电阻的变化来准确地读取存储在存储单元中的值。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年9月15日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0118844号以及在2018年2月20日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2018-0020007号的权利，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种电阻式存储器装置，且更具体来说，涉及一种包括参考单元的电阻式存储器装置及一种操作电阻式存储器装置的方法。

背景技术

电阻式存储器装置可将数据存储在包括可变电阻元件的存储单元中。为检测存储在电阻式存储器装置的存储单元中的数据，举例来说，可对存储单元供应读取电流，且可对由读取电流以及存储单元的可变电阻元件引起的电压进行检测。

在其中存储有特定值的存储单元中，可变电阻元件的电阻可为分散的，且所述分散可能会因工艺电压温度(process voltage temperature，PVT)等而发生波动。这种电阻散布的变化可能会干扰对存储在存储单元中的值的准确读取。

发明内容

本发明概念提供一种电阻式存储器装置及一种操作所述存储器装置以通过补偿存储单元的电阻的变化来准确地读取存储在存储单元中的值的方法。

根据本发明概念的一方面，提供一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置被配置成响应于读取命令来输出存储在存储单元中的值，所述电阻式存储器装置包括：单元阵列，包括所述存储单元及参考单元；参考电阻电路，被配置成电连接到所述参考单元；偏移电流源电路，被配置成对被提供到所述参考电阻电路的读取电流加上偏移电流或者从被提供到所述参考电阻电路的所述读取电流汲取所述偏移电流；以及控制电路，被配置成控制所述偏移电流源电路来补偿所述存储单元的电阻的变化。

根据本发明概念的另一方面，提供一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置被配置成响应于读取命令来输出存储在存储单元中的值，所述电阻式存储器装置包括：单元阵列，包括所述存储单元及参考单元，第一读取电流流过所述存储单元，参考电流流过所述参考单元；电流源电路，被配置成产生所述第一读取电流及第二读取电流；偏移电流源电路，被配置成通过对所述第二读取电流加上偏移电流或者从所述第二读取电流汲取所述偏移电流来产生所述参考电流；以及控制电路，被配置成控制所述偏移电流源电路来补偿所述存储单元的电阻的变化。

根据本发明概念的另一方面，提供一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置被配置成响应于读取命令来输出存储在存储单元中的值，所述电阻式存储器装置包括：单元阵列，包括所述存储单元及参考单元，第一读取电流流过所述存储单元，第二读取电流流过所述参考单元；偏移电流源电路，被配置成通过对所述第二读取电流加上偏移电流或者从所述第二读取电流汲取所述偏移电流来产生参考电流；参考电阻电路，电连接到所述参考单元，且所述参考电流流过所述参考电阻电路；以及控制电路，被配置成控制所述偏移电流源电路来补偿所述存储单元的电阻的变化。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，将更清楚地理解本发明概念的示例性实施例，在附图中：

图1是示出根据示例性实施例的存储器装置及控制器的方块图。

图2是示出根据示例性实施例的图1所示存储单元的实例的方块图。