[发明专利]荧光体以及发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其中，

所述荧光体包含具有化学组成(Lu_xY_1-x)_yM_3-y-zCe_zβ_pγ_q的结晶相；

所述M为选自La、Sc、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm以及Yb之中的一种或两种以上的元素；

所述β含有整个所述β的90摩尔％以上的Si；

所述γ含有整个所述γ的90摩尔％以上的N；

所述x、y、z、p以及q满足0＜x≤1、1.5≤y≤3－z、0＜z≤0.6、5.5≤p≤6.5以及10.5≤q≤11.5；

所述荧光体在波长600nm～680nm处具有发光光谱的峰。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述荧光体在波长480nm～550nm处具有激发光谱的峰。

3.根据权利要求2所述的荧光体，其中，

将所述激发光谱的峰设定为第一激发光谱的峰，

在波长350nm以上且低于480nm处具有第二激发光谱的峰。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，所述M含有整个所述M的90摩尔％以上的La。

5.根据权利要求4所述的荧光体，其中，

所述M为La，

所述β为Si，

所述γ为N。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的荧光体，其中，所述x满足0.2≤x≤1。

7.根据权利要求6所述的荧光体，其中，所述x满足x＝1。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的荧光体，其中，所述y满足2≤y≤3－z。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的荧光体，其中，所述结晶相具有正方晶即四方晶的晶体结构。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的荧光体，其中，所述结晶相的1/e发光寿命为100ns以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的荧光体，其中，所述结晶相具有Ce置换La₃Si₆N₁₁的晶体结构中的La(2a)位点的至少一部分所得到的晶体结构。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的荧光体，其中，所述结晶相具有选自Lu以及Y之中的至少一种置换La₃Si₆N₁₁的晶体结构中的La(4c)位点的至少一部分所得到的晶体结构。

13.根据权利要求12所述的荧光体，其中，所述结晶相具有选自Lu以及Y之中的至少一种置换La₃Si₆N₁₁的晶体结构中的La(4c)位点的过半数所得到的晶体结构。

14.一种发光装置，其中，

所述发光装置具有发出波长为600nm以下的光的激发光源，和

作为权利要求1～13中任一项所述的荧光体的第一荧光体；

所述荧光体被照射所述激发光源发出的光，从而发出波长比所述光更长的荧光。

15.根据权利要求14所述的发光装置，其中，所述激发光源发出波长为480nm～600nm的光。

16.根据权利要求14所述的发光装置，其中，所述激发光源发出波长为420nm～480nm的光。