[发明专利]一种多孔氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811073083.1 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109306451A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;刘艳怡;王诺媛;何鑫;陈柏桦;蒋庭辉;刘俊杰;刘铭全;沈耿哲 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 多孔氧化物薄膜 衬底 非晶态氧化物 气敏探测器 薄膜 磁控溅射真空室 光催化降解 氧化物靶材 氧化物薄膜 蓝宝石 氩气 抽真空 氧化物 放入 溅射 沉积 加热 保温 成熟 应用 | ||
1.一种多孔氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)非晶态氧化物薄膜的制备：将衬底放入磁控溅射真空室中，抽真空至0.0001Pa以上，通入氩气，溅射氧化物靶材，在衬底上沉积非晶态氧化物薄膜，备用；
(2)高温烧结处理：将步骤(1)制备的非晶态氧化物薄膜加热并保温，然后降温至室温，制备得到所述多孔氧化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种多孔氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底选自硅、蓝宝石、SiO2中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种多孔氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，通入氩气的压强为0.1-0.48Pa。
4.根据权利要求1所述的一种多孔氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述非晶态氧化物薄膜的厚度为50-200nm。
5.根据权利要求1所述的一种多孔氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述氧化物为ZnO、SnO2、Fe2O3、TiO2、La2O3、ZrO2、V2O5中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的一种多孔氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中溅射氧化物靶材的功率为105-145W。
7.根据权利要求1所述的一种多孔氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中加热的过程为以每分钟10-90℃的升温速率加热至700-900℃。
8.根据权利要求1所述的一种多孔氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中保温的时间为20-50分钟。
9.一种多孔氧化物薄膜，其特征在于，由权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备得到。
10.一种多孔氧化物薄膜的应用，其特征在于，根据权利要求9所述的多孔氧化物薄膜应用于光电探测器、气敏探测器或光催化降解。
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