[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

基座，其能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；

静电卡盘，其设置在所述基座上，能够在中央部载置所述被处理基片，在外周部以包围所述被处理基片的方式载置聚焦环；和

电介质层，其配置在所述静电卡盘的外周部与所述基座或所述聚焦环之间，具有使所述静电卡盘的中央部的静电电容与所述静电卡盘的外周部的静电电容之差减少的静电电容，

在所述被处理基片载置于所述静电卡盘的中央部并且所述聚焦环载置于所述静电卡盘的外周部的状态下，所述聚焦环的上表面的高度与所述被处理基片的上表面的高度一致，

选择所述电介质层的厚度和相对介电常数，以使得所述电介质层的静电电容和所述静电卡盘的外周部的静电电容的合成静电电容与所述静电卡盘的中央部的静电电容一致，在等离子体处理期间对所述基座施加第1偏置电功率值的偏置电功率时，所述聚焦环的上方的等离子体鞘的高度与所述被处理基片的上方的等离子体鞘的高度一致，当施加至所述基座的偏置电功率被切换为大于所述第1偏置电功率值的第2偏置电功率值时，所述聚焦环的上方的等离子体鞘的高度与所述被处理基片的上方的等离子体鞘的高度一致。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述聚焦环，在所述聚焦环的下表面之中的一部分区域与所述静电卡盘的外周部接触的状态下载置于所述静电卡盘的外周部，

选择所述电介质层的厚度和相对介电常数，以使得将所述聚焦环的下表面之中的所述一部分区域的面积与所述聚焦环的上表面的面积之比乘以所述电介质层的静电电容与所述静电卡盘的外周部的静电电容的合成静电电容而得到的值，与所述静电卡盘的中央部的静电电容一致。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述被处理基片载置于所述静电卡盘的中央部并且所述聚焦环载置于所述静电卡盘的外周部的状态下，所述聚焦环的上表面的高度与所述被处理基片的上表面的高度一致。

4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质层不隔着粘接剂地形成在所述基座上或所述静电卡盘的外周部上。

5.一种等离子体处理方法，其特征在于：

使用权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，对被处理基片进行等离子体处理。