[发明专利]制造设施中的错误检测的方法在审
申请号: | 201811074399.2 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109841539A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 黄柏文;商耀元;曾国书;陈彦羽;林群智;戴逸明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 载具 环境因子 测量 错误检测 传送设备 移动期间 可接受 警示 制造 移动 | ||
提供一种在一制造设施中的错误检测的方法。上述方法包括利用一传送设备移动一晶圆载具。上述方法还包括利用一测量工具测量晶圆载具内的一环境因子或者晶圆载具周围的一环境因子。测量工具在晶圆载具移动期间放置于晶圆载具之上。上述方法还包括当所测量的环境因子超出一可接受数值范围时,发出一警示。
技术领域
本发明实施例关于一种半导体技术,特别是有关于一种半导体制造设施及其制造系统的错误检测方法。
背景技术
近年来,半导体集成电路(semiconductor integrated circuits)经历了指数级的成长。在集成电路材料以及设计上的技术进步下,产生了多个世代的集成电路,其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中,当几何尺寸(亦即,工艺中所能产出的最小元件或者线)缩小时,功能密度(亦即,每一芯片区域所具有的互连装置的数目)通常会增加。一般而言,这种尺寸缩小的工艺可以提供增加生产效率以及降低制造成本的好处,然而,这种尺寸缩小的工艺亦会增加制造与生产集成电路的复杂度。
集成电路通常利用一是列的晶圆制造工具(亦即加工机台)以一或多个晶圆为批次的方式进行制造。每一加工机台通常对既定批次内的晶圆执行单一晶圆加工工艺。举例而言,一特定的加工机台可执层化(layering)操作、图案化操作、植入操作或热处理。在层化操作中,通常加入一期望材料的层体在暴露的晶圆表面。在图案化操作中,通常移除一或多层在层化操作中所形成的层体中选定的部分。在植入操作中,通常穿过晶圆表面直接植入残杂物,以产生P-N接口。在热处理中,通常加热晶圆至一特定温度(例如,残杂物驱入(drive-in)或退火)。如此一来,在工厂内晶圆的移动即被需求。
虽然已有多个对于运输晶圆的改进被提出,但它们在所有方面并不完全令人满意。因此,提供改进运输系统的解决方案以减轻或避免由于晶圆运输过程中存储条件不当导致晶圆废料过多的状况即被需求。
发明内容
本公开部分实施例提供一种在一制造设施中的错误检测方法。上述方法包括利用一传送设备移动一晶圆载具。上述方法还包括利用一测量工具测量晶圆载具内的一环境因子或者晶圆载具周围的一环境因子。测量工具在晶圆载具移动期间放置于晶圆载具之上。上述方法还包括当所测量的环境因子超出一可接受数值范围时,发出一警示。
本公开部分实施例提供一种加工一晶圆的方法。上述方法包括在一第一加工机台中形成一材料层于一晶圆。上述方法还包括装载形成有材料层的晶圆进入一晶圆载具。上述方法也包括自第一加工机台移动容纳有晶圆的晶圆载具至一第二加工机台并监控晶圆载具内的一环境因子。并且,上述方法包括当由一测量工具所监控的环境因子超出一可接收数值范围时,停止自第一加工机台移动晶圆载具至第二加工机台,并且传送晶圆载具至一重加工站,以移除材料层。
本公开部分实施例提供一种制造设施。上述制造设施包括配置用于接收至少一晶圆的一晶圆载具。上述制造设施还包括配置用于移动晶圆载具的一传送设备。上述制造设施也包括一测量工具,放置在晶圆载具之上并配置用于测量晶圆载具内的一环境因子或晶圆载具周围的一环境因子。另外,上述制造设施包括一控制系统。当测量工具所测量的环境因子超出一可接受数值范围时,控制系统配置用于控制传送设备移动晶圆载具至一重加工站,以移除在晶圆之上的一材料层。
附图说明
图1显示根据一些实施例的一制造设施的方框图。
图2显示根据一些实施例的一制造设施的部分元件的示意图。
图3显示根据一些实施例的一晶圆载具的示意图。
图4显示根据一些实施例的一制造设施的部分元件的方框图。
图5显示根据一些实施例中在一晶圆载具中执行错误检测的一方法的简化流程图。
图6显示根据一些实施例中在用于存储一掩模的一晶圆载具中所测量的湿度相对于时间的关系图、上限控制及下限控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造