[发明专利]成膜方法以及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，通过等离子体溅射对基板进行成膜，其中，

在真空腔室内将感应耦合天线与具有靶体的溅射阴极接近地配置，所述感应耦合天线具有由电介质层覆盖匝数小于一圈的线状导体的结构，

在所述真空腔室内使所述基板与所述靶体相向而配置，

向内部气压被调节成规定的成膜压力的所述真空腔室内供给溅射气体，并且向所述感应耦合天线施加高频电压并向所述溅射阴极施加负电压，以在所述真空腔室内产生感应耦合等离子体，并且使由所述靶体被所述感应耦合等离子体溅射而产生的成膜粒子附着在所述基板的表面上进行成膜，

在所述靶体中的与所述基板相向的表面的静磁场在沿着所述表面的方向上的最大磁通密度为15mT以下。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其中，

所述靶体是强磁性体材料。

3.如权利要求1所述的成膜方法，其中，

所述溅射阴极不包括由永久磁铁产生的磁路。

4.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，

所述靶体形成为平板状。

5.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，

以夹持所述溅射阴极的方式配置多个所述感应耦合天线。

6.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，

向所述溅射阴极施加的电压包含交流成分。

7.一种成膜装置，其中，

具有：真空腔室；

感应耦合天线，具有由电介质层覆盖匝数小于一圈的线状导体的结构，并且所述感应耦合天线设置于所述真空腔室内；

溅射阴极，在所述真空腔室内与所述感应耦合天线接近设置并具有靶体；

基板保持部，在所述真空腔室内将基板保持为使基板与所述靶体相向；

压力调节部，将所述真空腔室的内部气压调节成规定的成膜压力；

气体供给部，向所述真空腔室内供给溅射气体；以及

电源部，向所述感应耦合天线与所述溅射阴极赋予规定的电位，

所述电源部向所述感应耦合天线施加高频电压并向所述溅射阴极施加负电压，以在所述真空腔室内产生感应耦合等离子体，并且使由所述靶体被所述感应耦合等离子体溅射而产生的成膜粒子附着在所述基板上进行成膜，

在所述靶体中的与所述基板相向的表面的静磁场在沿着所述表面的方向上的最大磁通密度为15mT以下。

8.如权利要求7所述的成膜装置，其中，

所述溅射阴极不包括由永久磁铁产生的磁路。

9.如权利要求7所述的成膜装置，其中，

所述靶体为强磁性体材料。

10.如权利要求7～9中任一项所述的成膜装置，其中，

所述靶体形成为平板状。

11.如权利要求7～9中任一项所述的成膜装置，其中，

以夹持所述溅射阴极的方式配置多个所述线状导体。

12.如权利要求7～9中任一项所述的成膜装置，其中，

多个所述线状导体沿着所述溅射阴极配置为列状。

13.如权利要求7～9中任一项所述的成膜装置，其中，

具有移动机构，所述移动机构在所述真空腔室内使所述基板相对于所述溅射阴极进行移动。

14.如权利要求7～9中任一项所述的成膜装置，其中，

所述压力调节部能够改变所述成膜压力。