[发明专利]一种多晶硅的制备方法在审
| 申请号： | 201811075034.1 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108840340A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 冉祎;余涛;王琴;何鹏;李寿琴 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强;罗满 |
| 地址： | 614800 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅 混合料 硅棒 制备 化学沉淀反应 三氯氢硅气体 多晶硅生长 二氯二氢硅 电耗 硅芯表面 生长周期 氢气 还原炉 硅芯 收率 送入 节约 | ||
1.一种多晶硅的制备方法，其特征在于，包括：
将二氯二氢硅气体、三氯氢硅气体和氢气混合，得到混合料；
将混合料送入还原炉，第三混合料进行气相化学沉淀反应，在硅芯表面生成多晶硅，得到硅棒。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：加热汽化二氯二氢硅，得到所述二氯二氢硅气体。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：加热汽化三氯氢硅，得到所述三氯氢硅气体。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：所述氢气为经过预热处理的氢气。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括：
将二氯二氢硅气体、三氯氢硅气体和氢气在混合内混合，得到混合料；
将混合料送入还原炉，第三混合料在还原炉内进行气相化学沉淀反应，在还原炉内的硅芯表面生成多晶硅，得到硅棒。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述气相化学沉淀反应温度条件为1020℃～1120℃，压力条件为0.45MPa～0.5MPa。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：硅棒生长过程中逐步降低所述混合料中所述二氯二氢硅气体含量。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：以体积百分比计，硅棒生长初期所述混合料中所述二氯二氢硅气体含量为10％～15％，完成硅棒生长时所述混合料中所述二氯二氢硅气体含量为2％。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅棒的整个生长周期在100小时以内。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合气中所述二氯二氢硅气体和所述三氯氢硅气体总含量与所述氢气含量的摩尔比为1：2～1：10。
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