[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811075542.X | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109461802B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;周盈盈;郭炳磊;乔楠;张武斌;吕蒙普;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
顺次在所述衬底上沉积GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlGaN层和多量子阱层；
在所述多量子阱层上沉积电子阻挡层，所述电子阻挡层包括顺次层叠在所述多量子阱层上的AlN层、第一AlGaN层和第二AlGaN层，所述AlN层为P型掺杂AlN层；
在所述电子阻挡层上沉积P型层，
所述在所述多量子阱层上沉积电子阻挡层，包括：
在所述多量子阱层上沉积所述AlN层，所述AlN层的生长压力为50～100Torr；
在所述AlN层上沉积所述第一AlGaN层，所述第一AlGaN层的生长压力为200～300Torr；
在所述第一AlGaN层上沉积所述第二AlGaN层，所述第二AlGaN层的生长压力为400～600Torr。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlN层、所述第一AlGaN层和所述第二AlGaN层的生长温度均为850～1080℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlN层的厚度为5～10nm，所述第一AlGaN层的厚度为40～130nm，所述第二AlGaN层的厚度为5～10nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一AlGaN层中Al摩尔掺入量为0.2～0.5，所述第二AlGaN层中Al摩尔掺入量为0.05～0.1。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底为图形化蓝宝石衬底。
6.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括：衬底、顺次在所述衬底上沉积GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述电子阻挡层包括顺次层叠在所述多量子阱层上的AlN层、第一AlGaN层和第二AlGaN层，所述AlN层为P型掺杂AlN层，所述AlN层的生长压力为50～100Torr，所述第一AlGaN层的生长压力为200～300Torr，所述第二AlGaN层的生长压力为400～600Torr。
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