[发明专利]基板清洁组合物、基板处理方法、以及基板处理设备有效
申请号: | 201811075544.9 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109509699B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 崔海圆;姜基文;崔基勋;A·科里阿金;许瓒宁;李在晟;林权泽;金勇勲;李相昊 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 车今智 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 组合 处理 方法 以及 设备 | ||
1.一种用于处理基板的基板清洁组合物,其包括:
共溶剂;以及
粘结剂,所述粘结剂包括化学式1的化合物、亚硫酸二甲酯、亚硫酸二乙酯、或其组合
[化学式1] O=P-(O-R)3,R:CH3-(CH2)n-1,n:自然数。
2.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中,所述粘结剂为磷酸三甲酯。
3.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其还包括:
含氟刻蚀化合物。
4.根据权利要求3所述的基板清洁组合物,其中,所述刻蚀化合物包括氟化氢。
5.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中,所述共溶剂为醇。
6.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中,所述共溶剂为异丙醇、甲醇、乙醇、或其组合。
7.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中,所述共溶剂的重量百分数为45-97wt%,以及磷酸三甲酯的重量百分数为3-55wt%。
8.根据权利要求3所述的基板清洁组合物,其中,所述刻蚀化合物的重量百分数为0.1-1wt%,所述共溶剂的重量百分数为45-97wt%,以及所述粘结剂的重量百分数为3-55wt%。
9.根据权利要求3所述的基板清洁组合物,其中,所述刻蚀化合物的重量百分数小于1wt%,以及所述共溶剂与所述粘结剂的重量比为1:1。
10.根据权利要求1所述的基板清洁组合物,其中,所述基板清洁组合物清除纳米级(不超过100nm)尺寸的粒子。
11.一种基板清洁组合物,所述组合与待供应的超临界流体混合并包括:
所述基板清洁组合物为包括粘结剂的无水组合物,所述粘结剂包括化学式1的化合物、亚硫酸二甲酯、亚硫酸二乙酯、或其组合
[化学式1] O=P-(O-R)3,R:CH3-(CH2)n-1,n:自然数。
12.根据权利要求11所述的基板清洁组合物,其中,所述粘结剂为磷酸三甲酯。
13.根据权利要求11所述的基板清洁组合物,其还包括:含氟刻蚀化合物。
14.根据权利要求13所述的基板清洁组合物,其中,所述刻蚀复合物包括氟化氢。
15.根据权利要求11所述的基板清洁组合物,其中,溶解所述粘结剂的共溶剂为醇。
16.根据权利要求11所述的基板清洁组合物,其中,溶解所述粘结剂的共溶剂为异丙醇、甲醇、乙醇、或其组合。
17.根据权利要求11所述的基板清洁组合物,其中,溶解所述粘结剂的共溶剂的重量百分数为45-97wt%,以及所述粘结剂的重量百分数为3-55wt%。
18.根据权利要求13所述的基板清洁组合物,其中,所述刻蚀化合物的重量百分数为0.1-1wt%,溶解所述粘结剂的共溶剂的重量百分数为45-97wt%,以及所述粘结剂的重量百分数为3-55wt%。
19.根据权利要求13所述的基板清洁组合物,其中,所述刻蚀化合物的重量百分数小于1wt%,以及所述粘结剂与溶解所述粘结剂的共溶剂的重量比为1:1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造