[发明专利]一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板及其制造方法

权利要求书

1.一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板，其特征是所述基板包括上表层和下表层，上、下表层为高密度、高精度金属化焊盘，每平方毫米内焊盘密度达到2个，形位偏差小于等于0.2%；基板内部设有多层金属化布线，上、下表层金属化焊盘与硅基芯片通过球栅焊接封装连接；基板侧壁为满金属化，实现基板内部射频信号屏蔽；通过基板内部多层金属化布线满足电路信号传输互连；基板基体材料为氮化铝陶瓷，热膨胀系数为4.5×10^-6/K，与硅基芯片热膨胀系数一致，热导率≥170 W/m·k。

2.制备如权利要求1所述的一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板的方法，其特征是包括如下步骤：

1）氮化铝生瓷带流延：通过流延制备氮化铝生瓷带，厚度为0.10-0.30mm，使用等静压进行压实致密化，压力为0.5kpsi-1.5kpsi;

2）瓷带贴膜：将氮化铝生瓷一面进行贴膜束缚瓷带变形，减少收缩变形;

3）制备单个基板生瓷件：对生瓷带进行冲孔、通孔金属化、印刷金属化获得电路金属化，并进行叠片、层压、热切获得单个基板生瓷件；

4）满金属化印刷：利用半自动丝网印刷对基板侧壁进行满金属化印刷；

5）烧结整平：烧结、整平获得单个熟瓷瓷件；

6）采用化学镀镍、化学镀金工艺对钨金属化进行镀覆导电层，制备高集成模块封装用多层氮化铝基板。

3.根据权利要求1所述的一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板的制备方法，其特征是所述步骤3）制备单个基板生瓷件中通孔金属化、印刷金属化采用钨浆。

4.根据权利要求1所述的一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板的制备方法，其特征是所述步骤4）满金属化印刷为将每个单元侧壁用钨浆料涂覆。

5.根据权利要求1所述的一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板的制备方法，其特征是所述步骤5）中烧结温度为1800-1900℃。

6.根据权利要求1所述的一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板的制备方法，其特征是所述步骤6）中导电层厚度为0.01-0.30μm。