[发明专利]太阳能电池刻划方法及刻划设备有效
申请号: | 201811076405.8 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109216504B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 丁阳 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻划 太阳能电池 刻线 刻划设备 实际参数 太阳能电池基板 表面形成 减小 死区 平行 修正 发电 申请 | ||
1.一种太阳能电池刻划方法,其特征在于,包括:
根据第一次刻划的设定参数对太阳能电池基板进行第一次刻划,形成第一刻线;
获取所述第一刻线的实际参数;
根据所述第一次刻划的设定参数和所述第一刻线的实际参数,按照所述第一刻线长度方向每间隔第一距离获取一个第一次刻划的偏差值;
根据对每间隔第一距离得到的多个所述第一次刻划的偏差值,对之后进行的第n次刻划的设定参数进行修正;
采用修正后的设定参数进行第n次刻划,以使得第n刻线和所述第一刻线保持平行,其中n≥2,n为正整数。
2.如权利要求1所述的太阳能电池刻划方法,其特征在于,所述第一次刻划的设定参数为基于所述太阳能电池基板所处的基础坐标系的坐标参数,所述根据第一次刻划的设定参数对太阳能电池基板进行第一次刻划,形成第一刻线之前,所述方法还包括:
获取所述太阳能电池基板的实际坐标信息;
根据所述实际坐标信息与基础坐标系中所述太阳能电池基板的基准坐标信息的差别对基础坐标系进行修正,以得到修正后的基础坐标系;
根据修正后的基础坐标系确定所述第一次刻划的设定参数。
3.如权利要求1所述的太阳能电池刻划方法,其特征在于,所述第一刻线包括m条,对m条所述第一刻线进行分组,每一组包括a条所述第一刻线,根据a条所述第一刻线的偏差值,进行第n次刻划,以使得a条所述第一刻线和a条所述第n刻线保持平行,a为正整数,m为a的整数倍。
4.如权利要求1所述的太阳能电池刻划方法,其特征在于,在根据对每间隔第一距离得到的多个所述第一次刻划的偏差值,对之后进行的第n次刻划的设定参数进行修正的步骤中,n=3:
对每间隔第一距离得到的多个所述第一次刻划的偏差值进行整合,以完成对第二次刻划的设定参数的修正,第二次刻划的实际参数等于所述第二次刻划的设定参数加上所述第一次刻划的偏差值;
对每间隔第一距离得到的多个所述第一次刻划的偏差值进行整合,以完成对第三次刻划的设定参数进行修正,第三次刻划的实际参数等于所述第三次刻划的设定参数加上所述第一次刻划的偏差值。
5.如权利要求4所述的太阳能电池刻划方法,其特征在于,
在进行第二次刻划之前,按照所述第一距离的长度将所述第一刻线分为s段,共获取s个所述第一次刻划的偏差值,s为正整数;
当获取到第s个所述第一次刻划的偏差值之后,对第二次刻划的设定参数的第s段进行修正,直至对第二次刻划的设定参数修正完毕;
在进行第三次刻划之前,按照所述第一距离的长度将所述第一刻线分为s段,共获取s个所述第一次刻划的偏差值,s为正整数;
当获取到第s个所述第一次刻划的偏差值之后,对第三次刻划的设定参数的第s段进行修正,直至对第三次刻划的设定参数修正完毕。
6.一种刻划设备,其特征在于,包括:刻划执行器、刻划检测装置以及控制器;
所述刻划执行器与所述控制器通信连接,用于根据第一次刻划的设定参数对太阳能电池基板进行第一次刻划,形成第一刻线;
所述刻划检测装置与所述控制器通信连接,用于获取所述第一刻线的实际参数,并将所述第一刻线的实际参数反馈至所述控制器;
所述控制器用于根据所述第一次刻划的设定参数和所述第一刻线的实际参数,按照所述第一刻线长度方向每间隔第一距离获取一个第一次刻划的偏差值;并根据对每间隔第一距离得到的多个所述第一次刻划的偏差值,对之后进行的第n次刻划的设定参数进行修正;并采用修正后的设定参数进行第n次刻划,以使得第n刻线和所述第一刻线保持平行,其中n≥2,n为正整数。
7.如权利要求6所述的刻划设备,其特征在于,所述控制器包括:
修正处理单元,与所述刻划检测装置通信连接,用于获取所述太阳能电池基板的实际坐标信息,根据所述实际坐标信息与基础坐标系中所述太阳能电池基板的基准坐标信息的差别对基础坐标系进行修正,以得到修正后的基础坐标系,并根据修正后的基础坐标系确定所述第一次刻划的设定参数。
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