[发明专利]一种抱闸驱动电路

权利要求书

1.一种抱闸驱动电路，其特征在于，包括：

控制单元；

开关单元，所述开关单元包括MOS管，所述MOS管的栅极与所述控制单元连接，所述MOS管的源极和漏极用于分别与抱闸装置的两抱闸导线连接以控制抱闸装置的通电或断电；

检测单元，所述检测单元与所述开关单元连接；

故障触发单元，所述故障触发单元分别与所述检测单元以及所述控制单元连接；以及

切断单元，所述切断单元分别与所述故障触发单元以及所述MOS管的栅极连接；

其中，所述检测单元用于检测流经所述MOS管的电流的大小，并根据检测结果向所述故障触发单元发送电流检测信号；所述故障触发单元用于在所述电流检测信号的电压大于预设的电压阈值时分别向所述控制单元以及所述切断单元发送故障信号；所述控制单元用于在未接收到所述故障触发单元发送的故障信号时，向所述MOS管发送驱动信号以使所述MOS管导通；所述切断单元用于在接收到所述故障触发单元发送的故障信号时，向所述MOS管发送关断信号以使所述MOS管截止。

2.根据权利要求1所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述开关单元还包括第一三极管、第二三极管以及第三三极管；所述第三三极管的基极分别与所述控制单元以及所述故障触发单元连接，所述第三三极管的集电极分别与所述第一三极管的基极以及所述第二三极管的基极连接，所述第三三极管的发射极接地；所述第一三极管的发射极以及所述第二三极管的发射极均与所述MOS管的栅极连接，所述第一三极管的基极与电压源连接，所述第二三极管的集电极接地。

3.根据权利要求2所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述开关单元还包括第一稳压管，所述第一稳压管的负极与所述第三三极管的基极连接，所述第一稳压管的正极接地。

4.根据权利要求1所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述检测单元包括采样电阻以及电流检测芯片，所述采样电阻与所述MOS管以及所述电流检测芯片连接，所述电流检测芯片与所述故障触发单元连接。

5.根据权利要求1所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述故障触发单元包括故障比较单元；所述故障比较单元包括第一比较器、第二比较器、第一二极管以及第二二极管，所述第一比较器的负输入端与低基准电压输入端连接，所述第一比较器的正输入端与所述检测单元连接，所述第一比较器的输出端与所述第二二极管的负极连接；所述第二比较器的负输入端与所述检测单元连接，所述第二比较器的正输入端与高基准电压输入端连接，所述第二比较器的输出端分别与所述第一二极管的负极以及所述切断单元连接；所述第一二极管的正极以及所述第二二极管的正极均与所述控制单元连接。

6.根据权利要求4所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述故障触发单元还包括基准单元，所述基准单元包括第二稳压管、偏置电阻、第四三极管、第一分压电阻以及第二分压电阻；所述偏置电阻的一端与电压源连接，所述偏置电阻的另一端分别与所述第四三极管的基极以及所述第二稳压管的负极连接；所述第二稳压管的负极接地；所述第四三极管的集电极与电压源连接，所述第四三极管的发射极与所述第一分压电阻连接，所述高基准电压输入端与所述第四三极管的发射极连接，所述低基准电压输入端通过所述第一分压电阻与所述第四三极管的发射极连接，所述低基准电压输入端通过第二分压电阻接地。

7.根据权利要求5所述的抱闸驱动电路，其特征在于，所述切断单元包括第三比较器、第五三极管、第六三极管、第三分压电阻以及第四分压电阻；所述第三比较器的正输入端通过第三分压电阻与所述高基准电压输入端连接，所述第三比较器的正输入端通过第四分压电阻接地，所述第三比较器的负输入端与所述故障比较单元连接；所述第三比较器的输出端与第五三极管的基极连接，所述第五三极管的集电极与所述第六三极管的基极连接，所述第五三极管的发射极与电压源连接；所述第六三极管的集电极与所述MOS管的栅极连接，所述第六三极管的发射极接地。