[发明专利]一种Cu-石墨烯杂聚体增强6061合金基复合材料的制备方法在审
申请号: | 201811077627.1 | 申请日: | 2018-09-15 |
公开(公告)号: | CN109280791A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 何春年;韩晓琪;赵乃勤;师春生;何芳;刘恩佐;沙军威 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05;C22C21/00;C22C21/12 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯 聚体 制备 氯化钠 铝合金基复合材料 前驱体 铜源 离子 合金基复合材料 三水合硝酸铜 葡萄糖 干燥产物 干燥处理 喷雾干燥 煅烧产物 研磨 管式炉 铝复合 摩尔比 预压块 水中 煅烧 还原 | ||
本发明涉及一种Cu‑石墨烯杂聚体增强6061铝合金基复合材料的制备方法,包括下列步骤:Cu‑石墨烯杂聚体的制备:以三水合硝酸铜为铜源,以葡萄糖为碳源,以氯化钠为模板,以铜源中的Cu原子、碳源中的C原子、模板中的Na原子的摩尔比为(1~3):(10~15):(150‑200)将三种原料均匀溶于去离子水中,将溶液进行喷雾干燥得到前驱体将制得的前驱体置于管式炉中,在750℃,H2气氛中煅烧还原,用去离子水洗去煅烧产物中的氯化钠模板,然后干燥处理,干燥产物研磨成粉末,得到Cu‑石墨烯杂聚体。Cu‑石墨烯杂聚体/铝复合预压块的制备。Cu‑石墨烯杂聚体增强6061铝合金基复合材料的制备。
技术领域
本发明涉及一种利用熔炼铸造技术向6061合金熔体中加入增强体制备6061合金基复合材料的方法,属于熔炼铸造技术领域。
背景技术
6061铝合金具有较高的强度,良好的抗腐蚀性能,加工性能极佳等优良的综合性能,广泛应用于航空航天、汽车制造、交通运输、建筑以及电子产品等领域。随着现代科技的发展,日益严苛的应用环境对6061铝合金的强度要求逐渐提高。为满足市场对铝合金轻质高强综合性能的要求,研究者们向合金基体中加入陶瓷相、碳纳米相等增强体,制备出高性能的6061铝合金基复合材料。
碳纳米材料石墨烯具有优异的物理性能和力学性能,极大的比表面积,低密度等特点,被认为是铝合金基复合材料的良好增强相。目前,石墨烯增强铝合金基复合材料的制备方法有粉末冶金、熔炼铸造、离子束溅射法等。粉末冶金和离子束溅射法制备的产品性能高,但制备工艺复杂,且生产效率低,制约了石墨烯增强铝合金基复合材料的应用发展。熔炼铸造法,具有操作简单、成本低、生产效率高等特点,是实现石墨烯增强铝合金基复合材料规模化生产的有效途径。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用熔炼铸造技术制备Cu-石墨烯杂聚体增强6061铝合金基复合材料的方法,并实现6061合金基体力学性能的提高。为实现上述目的,本发明通过以下技术方案加以实现:
一种Cu-石墨烯杂聚体增强6061铝合金基复合材料的制备方法,包括下列步骤:
(1)Cu-石墨烯杂聚体的制备:以三水合硝酸铜为铜源,以葡萄糖为碳源,以氯化钠为模板,以铜源中的Cu原子、碳源中的C原子、模板中的Na原子的摩尔比为(1~3):(10~15):(150-200)将三种原料均匀溶于去离子水中,将溶液进行喷雾干燥得到前驱体将制得的前驱体置于管式炉中,在750℃,H2气氛中煅烧还原,用去离子水洗去煅烧产物中的氯化钠模板,然后干燥处理,干燥产物研磨成粉末,得到Cu-石墨烯杂聚体。
(2)Cu-石墨烯杂聚体/铝复合预压块的制备:将步骤(1)获得的Cu-石墨烯杂聚体与铝粉按照质量比1:(5~20)的比例放入球磨罐中,通过球磨法制得Cu-石墨烯/铝复合粉末。将制得的复合粉末冷压成块,得到Cu-石墨烯杂聚体/铝复合预压块。
(3)Cu-石墨烯杂聚体增强6061铝合金基复合材料的制备:将6061铝合金在720℃,氩气保护气氛中保温1~1.5h,得到完全熔融的6061铝合金熔体,将步骤(2)制得的Cu-石墨烯杂聚体/铝复合预压块预热至400℃,加入到6061铝合金熔体中,保温20min,使预压块完全融化,再搅拌一定时间,浇铸到提前预热至400℃的模具中,得到复合材料铸块,再将得到的复合材料铸块置于500℃的箱式炉中保温24h做均匀化处理,空气冷却。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811077627.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。