[发明专利]单晶热氧化电池制造工艺

说明书

本发明涉及一种太阳电池制造工艺，公开一种单晶热氧化电池制造工艺，该工艺采用以下步骤：高温扩散炉升温至高温650‑800℃，通过真空泵将该扩散炉的炉管内的压力抽至低压50‑250mbar状态；向该高温扩散炉内通入一设定流量的O₂，在该高温和该低压条件下形成均匀的氧化硅，其中，高温扩散的方式使氧化层致密性佳，抗PID效果好，利用低压扩散的方式使氧化层具有较高的稳定性。

技术领域

本发明涉及一种太阳电池制造工艺，尤其是涉及一种单晶热氧化电池制造工艺。

背景技术

2005年美国SunPower公司首次发现并提出PID（Potential InducedDegradation，即电势诱导衰减）效应，自此，光伏领域开始关注PID的研究和讨论，关于光伏系统中产生的PID效应的完整机理仍有待研究，但可以比较确定的是，单个电池片或组件的电压比较低，但多个组件串联之后，形成了较高的电压，经过长时间的作用，产生了两类意外的问题：

1）原PN结电场情况改变，或存在其它的电流通道，造成实际流过PN结的光生电流减小；

2）器件受到离子迁移的影响，材料性能发生了不可恢复的变化，和原始制造出的组件相比，输出功率变小。

在太阳电池生产流程中，代传统的O₃方式在单晶硅基表面形成氧化硅层致密性和均匀性较差，不能很好得起到抗PID的效果；由于热氧形成的氧化硅优越的致密性和低压条件下氧化层的均匀性，抗PID效果远远优于O₃形成的氧化硅层。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是解决上述现有技术的不足，提供一种提高氧化层的致密性及均匀性，提高太阳能电池片的可靠性的单晶热氧化电池制造工艺。

本发明解决上述现有技术的不足所采用的技术方案是：一种单晶热氧化电池制造工艺，该工艺采用以下步骤：

步骤（1）：高温扩散炉升温至高温650-800℃，通过真空泵将该扩散炉的炉管内的压力抽至低压50-250mbar状态；

步骤（2）：向该高温扩散炉内通入一设定流量的O₂，在该高温和该低压条件下形成均匀的氧化硅。

特别地，一流量计控制该高温散热炉内通入该设定流量的O₂。

特别地，该设定流量为3000-8000sccm。

相较于现有技术，本发明的单晶热氧化电池制造工艺，通过高温扩散炉升温至高温650-800℃，通过真空泵将该扩散炉的炉管内的压力抽至低压50-250mbar状态，高温扩散的方式使氧化层致密性佳，抗PID效果好，而低压扩散的方式使氧化层具有较高的稳定性，氧化层较为均匀。

附图说明

无。

具体实施方式

以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。

本发明的单晶热氧化电池制造工艺，采用以下步骤：

步骤（1）：晶体硅太阳电池片在经制绒工艺、扩散工艺和刻蚀工艺后，使用高温扩散炉进行氧化，将该高温扩散炉温度设置为750℃、压力控制在100mbar，然后通入3000sccm的O₂。

步骤（2）：在步骤（1）所设定的条件下工艺运行时间为1500s，在硅基表面形成一层致密的氧化硅，阻挡层降低电池在组件端存在的PID失效风险，同时提高电池片的转换效率。