[发明专利]单晶硅片碱抛清洗方法

说明书

本发明涉及太阳能电池槽式清洗领域，具体提供一种单晶硅片碱抛清洗方法，用于清洗一碱抛设备内碱抛后的硅片，该方法包括：首先在该碱抛设备内加入盐酸和双氧水的混合溶液，除金属离子并生成二氧化硅；其次加入氢氟酸溶液除去二氧化硅及该硅片表面的残留物质。本发明单晶硅片碱抛后清洗方法，硅片在碱抛设备内用盐酸加双氧水作为后清洗槽、水槽和氢氟酸的酸槽，不破坏绒面，节约碱液，清洗效果好，有效提升了良率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池槽式清洗领域，特别涉及单晶硅片清洗碱抛脏污和硅片表面残留物的清洗方法。

背景技术

太阳能电池刻蚀抛光工艺是太阳能高效电池制造工艺中至关重要的一步，对成品电池片的电性能以及EL良率有着重大的影响，刻蚀后硅片背面反射率的均匀性决定了背钝化镀膜的均匀性，镀膜的均匀性决定了激光开孔率及大小的均匀性。因此刻蚀在整个PERC电池（钝化发射区背面电池，Passivated emitter rear contact solar cells）生产过程中起着举足轻重的作用。

酸抛是另一种较为常见的技术手段，但采用这种处理方法存在三个问题：第一，酸抛产生的高浓度的酸雾难以处理，易导致环保不达标；第二，酸抛反射率很难提高，而且稳定性差；第三，酸抛生产过程中难调节，若排风不畅造成酸雾排不出去，酸雾残留在设备内，不但腐蚀设备而且造成硅片有酸残留，做成成品电池片后EL黑斑严重，降低了成品的合格率，返工率高；第四，酸抛的成本非常大。

碱抛则是另一种技术手段，碱抛后清洗则避免了上述缺点，但碱抛添加剂难以清洗，会对绒面造成一定的破坏。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是解决上述现有技术的不足，提供一种太阳能电池碱抛后清洗硅片上的添加剂而不破坏绒面的方法。

本发明解决上述现有技术的不足所采用的技术方案是：一种单晶硅片碱抛清洗方法，该方法包括：

步骤（1）：在该碱抛设备内加入盐酸和双氧水的混合溶液，除金属离子并生成二氧化硅；

步骤（2）：加入氢氟酸溶液除去二氧化硅及该硅片表面的残留物质。

相较于现有技术，本发明的单晶硅片碱抛清洗方法，硅片在碱抛设备内用盐酸加双氧水作为后清洗槽、水槽和氢氟酸的酸槽，替代现有技术中使用碱加双氧水的后清洗、水槽和盐酸与氢氟酸组成的混酸槽，实现对碱抛后硅片上的添加剂进行清洗，不破坏绒面，节约碱液，清洗效果好，有效提升了良率。

附图说明

无。

具体实施方式

以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。

一种单晶硅片碱抛清洗方法，用于清洗一碱抛设备内碱抛后的硅片，该方法为：

步骤（1）：在该碱抛设备内加入盐酸和双氧水的混合溶液，除金属离子并生成二氧化硅；

步骤（2）：加入氢氟酸溶液除去二氧化硅及该硅片表面的残留物质。

于本实施例中，硅片在碱抛设备内用盐酸加双氧水作为后清洗槽、水槽和氢氟酸的酸槽，改变了溶液成分以酸液作为后清洗。

本领域的技术人员应理解，上述描述的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。