[发明专利]一种电压转换电路

说明书

本发明公开了一种电压转换电路。一种电压转换电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第一电阻、第二NMOS管和第二电阻。利用本发明提供的电压转换电路可以在内部实现低压到高压，电路结构简单，容易实现。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及到电压转换电路。

背景技术

现有技术的电压转换电路，电路较复杂，同等承受耐压的情况下管子面积大，尤其在电源系统中，内部电路有低电压转换到高电压的转换，需要把低电压信号传到高电压电路。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种实现低压到高压的转换电路。

一种电压转换电路，包括第一PMOS管、第一NMOS管、第一电阻、第二NMOS管和第二电阻：

所述第一PMOS管的栅极接输入IN和所述第一NMOS管的栅极，漏极接所述第一NMOS管的漏极和所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接5V电源；所述第一NMOS管的栅极接输入IN和所述第一PMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，另一端接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极接所述第二电阻的一端并作为转换电路的输出端OUT，源极接地；所述第二电阻的一端接60V电源，另一端接所述第二NMOS管的漏极并作为转换电路的输出端OUT。

输入IN为高电平（5V）时所述第一NMOS管导通，所述第二NMOS管的栅极为低电平（0V）而不导通，这样输出OUT为高电平（60V）；输入IN为低电平（0V）时所述第一PMOS管导通，所述第二NMOS管的栅极为高电平（5V）而导通，这样输出OUT为低电平（0V）；所述第一电阻是为了使得所述第二NMOS管的栅极始终有一个电压存在，不至于栅极受干扰。

附图说明

图1为本发明的电压转换电路的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

一种电压转换电路，如图1所示，包括第一PMOS管10、第一NMOS管20、第一电阻30、第二NMOS管40和第二电阻50：

所述第一PMOS管10的栅极接输入IN和所述第一NMOS管20的栅极，漏极接所述第一NMOS管20的漏极和所述第一电阻30的一端和所述第二NMOS管40的栅极，源极接5V电源；所述第一NMOS管20的栅极接输入IN和所述第一PMOS管10的栅极，漏极接所述第一PMOS管10的漏极和所述第一电阻30的一端和所述第二NMOS管40的栅极，源极接地；所述第一电阻30的一端接所述第一PMOS管10的漏极和所述第一NMOS管20的漏极和所述第二NMOS管40的栅极，另一端接地；所述第二NMOS管40的栅极接所述第一电阻30的一端和所述第一PMOS管10的漏极和所述第一NMOS管20的漏极，漏极接所述第二电阻50的一端并作为转换电路的输出端OUT，源极接地；所述第二电阻50的一端接60V电源，另一端接所述第二NMOS管40的漏极并作为转换电路的输出端OUT。

输入IN为高电平（5V）时所述第一NMOS管20导通，所述第二NMOS管40的栅极为低电平（0V）而不导通，这样输出OUT为高电平（60V）；输入IN为低电平（0V）时所述第一PMOS管10导通，所述第二NMOS管40的栅极为高电平（5V）而导通，这样输出OUT为低电平（0V）；所述第一电阻30是为了使得所述第二NMOS管40的栅极始终有一个电压存在，不至于栅极受干扰。

对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。