[发明专利]一种能够强化辐射的元件及制备方法

权利要求书

1.一种能够强化辐射的元件的制备方法，其特征在于，包括：

S1、将原料均匀混合，以重量份计,所述原料由直径为0.2mm至1mm的氧化铝空心球40份-50份，直径为1mm至2mm的氧化铝空心球30份-40份，莫来石5份-8份，高黏土3份-5份，碳化硅1份-2份，氧化锆2份组成；

S2、加入水混合所述原料；

S3、挤压成型出元件的形状，所述元件呈圆筒状，所述元件的一端为开口，所述元件的另一端设置有底部；所述元件的内径自上而下逐渐增大，所述元件的内径最上端为60mm，所述元件的内径最下端为70mm，所述元件的高度为100mm，所述元件的侧壁厚度为5mm，所述元件的底部的厚度为7mm；

S4、高温烧结；通过高温进行72小时的烧结成型；所述高温为1450℃-1700℃；

步骤S1包括：

S11、将两种规格的氧化铝空心球搅拌均匀；

S12、研磨莫来石及高黏土至纳米级；

S13、将步骤S11、S12中的原料与碳化硅均匀混合；

步骤S2包括：

加入所述原料总重量10％-15％的水，并将所述原料混合均匀。

2.根据权利要求1所述的能够强化辐射的元件的制备方法制得的能够强化辐射的元件，其特征在于：按重量份由

直径为0.2mm至1mm的氧化铝空心球 40份-50份；

直径为1mm至2mm的氧化铝空心球 30份-40份；

莫来石 5份-8份；

高黏土 3份-5份；

碳化硅 1份-2份；

氧化锆 2份

组成。