[发明专利]单色量子点发光二极管的结构及制备方法有效
| 申请号： | 201811078350.4 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109301076B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张芹;常春;张文静;白锦科 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人： | 许艳 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单色 量子 发光二极管 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单色量子点发光二极管，自下而上设置有ITO透明电极、空穴注入传输层、单色量子点发光层、电子注入传输层和Al金属电极，其特征在于：所述单色量子点发光层包括第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中的第一量子点为CdZnS/CdSe/CdZnS中CdZnS壳层中的S源溶于三正辛基磷制备而成，所述第二量子点发光层中的第二量子点为CdZnS/CdSe/CdZnS中CdZnS壳层中的S源溶于三丁基磷中制备而成；且第一量子点发光层上面设置有第二量子点发光层。
2.根据权利要求1所述的一种单色量子点发光二极管，其特征在于：所述第一量子点发光层和第二量子点发光层的厚度均为1-100nm。
3.一种如权利要求1所述的单色量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：其过程如下：
1)制备第一量子点和第二量子点：采用连续离子层吸附法将CdZnS/CdSe/CdZnS中CdZnS壳层中的S源溶解于三正辛基磷制备成第一量子点，将CdZnS/CdSe/CdZnS中CdZnS壳层中的S源溶解于三丁基磷中制备成第二量子点；
2)在空穴注入传输层和电子注入传输层之间设置单色量子点发光层，采用旋涂或喷墨打印的方法，将第一量子点制成第一量子点发光层，然后在第一量子点发光层上旋涂或喷墨打印第二量子点，形成第二量子点发光层，构成单色量子点发光二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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