[发明专利]一种基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法

权利要求书

1.一种基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法，制备过程包括以下步骤：

1)有机纳米离子/电子杂化材料溶液的配制：将有机半导体与有机盐按照一定的质量比溶于氯仿等有机溶剂中，将混合物在一定的转速与温度下加热搅拌一定的时间使溶液澄清无沉淀；

2)有机纳米离子/电子杂化材料溶液的旋涂：设置好旋涂仪的两个转速1000RPM、5s和3000RPM、30s，在每一片准备好的洁净的硅片上均匀滴加一定体积的溶液，旋涂完毕后进行一定温度一定时间的退火处理；

3)在旋涂的有机纳米离子/电子杂化材料薄膜上镀金电极；

4)性能测试。

2.根据权利要求1所述的基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法，其特征是：步骤1)中所述的有机半导体的质量分数控制在0.1％到0.5％之间。

3.根据权利要求1所述的基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法，其特征是：有机半导体与有机盐的质量比为1:2-5。

4.根据权利要求1或3所述的基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法，其特征是：所述的有机半导体为P3HT。

5.根据权利要求1或3所述的基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法，其特征是：所述的有机盐为四丁基氨四氟硼酸盐。

6.根据权利要求1所述的基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法，其特征是：步骤1)中搅拌时转速为300RPM-500RPM，温度为40℃-60℃，搅拌时间10min-1h。

7.根据权利要求1所述的基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法，其特征是：步骤2)中滴加溶液体积为1.5cmX1.5cm的硅片滴加50μl-80μl。

8.根据权利要求1所述的基于有机纳米离子/电子杂化材料的两端神经仿生电子器件的制备方法，其特征是：步骤2)中退火温度为60℃-100℃，退火时间为10min-1h。