[发明专利]存储器装置及操作存储器装置的方法

说明书

本发明涉及一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；外围电路，对从多个存储器单元中选择的存储器单元执行后台擦除操作；以及控制逻辑，当在执行后台擦除操作的同时输入前台操作命令时，控制外围电路，使得响应于用于前台操作命令的确认命令的输入而暂停后台擦除操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月18日提交的申请号为10-2018-0006667的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种存储器装置和操作存储器装置的方法。

背景技术

存储器装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体实现的存储装置。存储器装置主要被分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

非易失性存储器的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种用于执行后台擦除操作的存储器装置和操作存储器装置的方法。

本公开的实施例可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；外围电路，对从多个存储器单元中选择的存储器单元执行后台擦除操作；以及控制逻辑，当在执行后台擦除操作的同时输入前台操作命令时，控制外围电路，使得后台擦除操作响应于用于前台操作命令的确认命令的输入而暂停。

本公开的实施例可提供一种操作包括多个存储器单元的存储器装置的方法。该方法可包括：从外部控制器接收针对从多个存储器单元中选择的存储器单元的后台擦除命令；对所选择的存储器单元执行后台擦除操作；在执行后台擦除操作的同时，接收针对多个存储器单元中任何存储器单元的前台操作命令；以及响应于用于前台操作命令的确认命令的输入，暂停后台擦除操作。

本公开的实施例可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括多个存储器单元、对存储器单元执行操作的外围电路以及在未执行前台操作时控制外围电路执行后台擦除操作的控制逻辑，其中该控制逻辑控制外围电路继续执行后台擦除操作，直到执行前台操作所需的所有信息被提供。

附图说明

图1是示出存储装置的示图。

图2是示出图1所示的存储器装置的引脚结构的示图。

图3是示出图1所示的存储器装置的结构的框图。

图4是用于说明编程操作期间存储器装置的输入/输出操作和单元操作的示图。

图5是用于说明根据本公开的实施例的后台擦除操作的示图。

图6是示出图3所示的后台擦除操作处理单元的结构的示图。

图7是示出根据本公开的实施例的存储器装置的操作的流程图。

图8是示出根据本公开的实施例的存储器装置的操作的流程图。

图9是示出图3所示的存储器单元阵列的实施例的示图。

图10是示出图9所示的存储块BLK1至BLKz的任意一个存储块BLKa的电路图。

图11是示出图9所示的存储块BLK1至BLKz的任意一个存储块BLKb的示例的电路图。

图12是示出图3所示的存储器单元阵列的实施例的电路图。

图13是示出包括图3所示的存储器装置的存储器系统的框图。