[发明专利]一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法在审
| 申请号： | 201811079334.7 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109405995A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 郭怀新;黄语恒;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 拉曼光谱法 结温 芯片 分辨率 测试 波数 材料特征 测试芯片 峰值波数 功率芯片 关系变化 技术开发 精度需求 拉曼光谱 寿命评估 温度标定 温度测试 拉曼谱 热管理 热源区 特征谱 光谱 拟合 分析 研究 | ||
1.一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法，其特征在于，
包括以下步骤：
1)针对测试芯片，利用拉曼光谱法开展热源区材料的温度对应的材料特征谱峰测试；
2)将特征谱峰进行洛伦兹函数拟合处理，拟合其谱峰值位置处的波数，并进行其拉曼特征谱峰值波数随温度变化量的标定；
3)利用拉曼光谱法，对芯片工作状态下热源区材料的特征谱峰进行测试；
4)将该特征谱峰进行洛伦兹函数拟合处理，拟合其谱峰值位置处的波数，结合其谱峰值波数随温度的变化量进行结温计算。
2.根据权利要求1所述的提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法，其特征在于，洛伦兹函数对特征谱峰值的拟合处理应覆盖谱峰波数。
3.根据权利要求2所述的提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法，其特征在于，波数的分辨率小于等于0.01cm-1。
4.根据权利要求3所述的提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法，其特征在于，待测芯片材料的特征谱峰值波数随温度变化量的标定，并拟合公式：
K＝Δω/ΔT
其中，K为特征谱峰波数-温度偏移系数，Δω为芯片热源区材料特征谱峰值偏移量，ΔT为温度偏移差量。
5.根据权利要求1所述的提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法，其特征在于，所述测试芯片为GaN功率芯片或GaAs功率芯片。
6.根据权利要求5所述的提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法，其特征在于，测试温度覆盖范围为25～220℃。
7.根据权利要求1或6所述的提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法，其特征在于，测试温度点不少于5个。
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