[发明专利]一种模式切换方法、装置、存储设备及存储介质

说明书

本发明公开了一种模式切换方法、装置、存储设备及存储介质。该方法包括：获取模式切换指令，所述模式切换指令包括目标存储模式的标识；确定处在空闲状态的目标存储单元；根据所述目标存储模式的标识，将所述目标存储单元的当前存储模式切换为所述目标存储模式。本发明的存储器具有多种存储方式，这样，在存储数据之前，先将空闲状态的存储存储单元切换到对应的目标存储方式，不同的数据就可以按照对应的目标存储方式存储在存储器中，因此，无需使用三种存储器，节约了资源。

技术领域

本发明实施例涉及数据存储技术，尤其涉及一种模式切换方法、装置、存储设备及存储介质。

背景技术

Nand闪存是一种非易失存储器，它通过对存储单元进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中，随着flash存储器的大量使用，对其性能的要求也在不断提高。

它通过对存储单元进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中。Nand闪存按照每个单元存储数据的位数来划分又可分为单层单元(Single-Level Cell，SLC)、双层单元(Multi-Level Cell，MLC)、三层单元(Triple-Level Cell，TLC)三种存储模式。但是每个存储器只有一种存储模式，因此，如果待存储的数据需要按照不同的存储模式存储，而只有一种存储模式的Nand闪存，那么不是该存储方式的数据将无法存储。

发明内容

本发明提供一种模式切换方法、装置、存储设备及存储介质，以实现存储器具有多种存储方式。

第一方面，本发明实施例提供了一种模式切换方法，包括：

获取模式切换指令，所述模式切换指令包括目标存储模式的标识；

确定处在空闲状态的目标存储单元；

根据所述目标存储模式的标识，将所述目标存储单元的当前存储模式切换为所述目标存储模式。

可选的，所述根据所述目标存储模式的标识，将所述目标存储单元的当前存储模式切换为所述目标存储模式之后，所述方法还包括：

接收输入的编程指令；

根据所述编程指令，按照所述目标存储模式将待编程数据编程对应的存储单元，所述对应的存储单元处在所述空闲状态。

可选的，所述目标存储模式包括以下一种：

SLC、MLC、TLC。

可选的，所述根据所述编程指令，按照所述目标模式将待编程数据编程对应的存储单元之后，所述方法还包括：

将所述对应的存储单元的状态由所述空闲状态变为已编程状态。

可选的，所述存储器是Nand闪存。

第二方面，本发明实施例还提供了一种模式切换装置，包括：

获取模块，用于获取模式切换指令，所述模式切换指令包括目标存储模式的标识；

确定模块，用于确定处在空闲状态的目标存储单元；

切换模块，用于根据所述目标存储模式的标识，将所述目标存储单元的当前存储模式切换为所述目标存储模式。

可选的，所述装置还包括：

接收模块，用于接收输入的编程指令；

编程模块，用于根据所述编程指令，按照所述目标存储模式将待编程数据编程对应的存储单元，所述对应的存储单元处在所述空闲状态。

可选的，所述目标存储模式包括以下一种：

第三方面，本发明实施例还提供了一种存储设备，其包括：