[发明专利]一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

(1)在硅片正面形成绒面；

(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层；

(3)在硅片正面沉积减反膜层；

(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；

(5)在硅片正面重新形成绒面；

(6)在硅片表面进行磷扩散；

(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；

(8)在硅片背面沉积钝化膜；

(9)在硅片正面二次沉积减反膜；

(10)对硅片背面进行激光开孔；

(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；

(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。

2.如权利要求1所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述隧穿层为SiO₂层，其厚度为1-8nm；所述掺杂多晶硅层厚度为为20-100nm。

3.如权利要求2所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述隧穿层厚度为1-3nm；所述掺杂多晶硅层厚度为50-80nm。

4.如权利要求2所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)完成后，所述硅片方阻为40-80Ω/sq。

5.如权利要求1所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，采用等离子体化学气相沉积法沉积减反膜层；所述减反膜层为氮化硅膜层；其厚度为10-40nm。

6.如权利要求1-5任一项所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述正电极穿过掺杂多晶硅层与减反膜层并与隧穿层接触。

7.如权利要求1所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅片为P型单晶硅；所述掺杂多晶硅层为磷掺杂N⁺型多晶硅层。

8.如权利要求7所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，采用NaOH、Na₂SiO₃以及异丙醇的混合溶液对硅片表面进行腐蚀，以制备绒面。

9.一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括硅片，设于硅片正面的减反膜、正电极；设于硅片背面的钝化膜、背电极和背电场；

所述正电极与硅片之间设有隧穿层、掺杂多晶硅层及减反膜层；

所述选择性钝化接触晶体硅太阳能电池采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备而成。