[发明专利]基于温差均衡的数据恢复方法以及系统、存储介质

说明书

本发明提供基于温差均衡的数据恢复方法，涉及数据存储装置以及方法，属于数据存储的方法领域方法包括以下步骤：将存储芯片划分为多个存储区域，所述区域包含多个存储单位；随着数据被写入到存储单位中，当某个存储单位被写满时，就记录该时刻对应的温度T1，并被作为元数据写入存储，得到每个存储单位对应的写入温度T1；当环境温度达到设定的理想写入温度时，就计算某个存储区域中所有的存储单位的写入温度T1与该环境温度的差值的总和，得到所有的存储区域的差值总和；以差值总和的大小进行排序，从大到小依次对所有的存储区域中的数据进行误码率检验和数据恢复。

技术领域

本发明涉及数据存储装置以及方法，属于数据存储的方法领域。

背景技术

随着闪存的更新换代，闪存中存储的数据对温度的变化越来越敏感，譬如，高温下写入的数据,在低温下读取出错的机率会大幅度增加,反之也是。

然而，越来越多的闪存比如SSD固态硬盘或是存储阵列在工业场合被使用，而这些场合的环境温度的变化是十分宽泛的：从-40℃-+85℃，这这种大温差环境下工作环境下，闪存中写入的数据会随着外界环境温度的变化发生变化，即存储芯片中的0、1数码状态发生改变，当改变到一定程度后，会导致存储的数据、文件发生损坏或是丢失。

现有技术中尚没有较好的解决方案，业界通常的方法是建立备份，即在特定的恒温环境中建立服务器或是存储中心来备份保存关键的数据，显然该种方案并不适合所有的用户，特别是不适合个人消费用户以及中小企业使用。

发明内容

本发明是为了解决上述宽温差条件下，现有技术不能较好的实现数据可靠读写，容易丢失数据的问题而进行的，目的在于提供一种基于温差均衡的数据恢复方法以及系统、存储介质，该方法应用在使用闪存的存储装置上解决了宽温差下数据发生错误或丢失的问题。

本发明提供一种基于温差均衡的数据恢复方法，其特征在于，包括以下步骤：

将存储芯片划分为多个存储区域，所述区域包含多个存储单位；

随着数据被写入到存储单位中，当某个存储单位被写满时，就记录该时刻对应的温度T1，并被作为元数据写入存储，得到每个存储单位对应的写入温度T1；

当环境温度达到设定的理想写入温度时，就计算某个存储区域中所有的存储单位的写入温度T1与该环境温度的差值的总和，得到所有的存储区域的差值总和；

以差值总和的大小进行排序，从大到小依次对所有的存储区域中的数据进行误码率检验和数据恢复。

本发明提供的基于温差均衡的数据恢复方法，还可以具有这样的特征，其中，所述存储单位为存储块或存储页。

本发明提供的基于温差均衡的数据恢复方法，还可以具有这样的特征，其中，对数据进行误码率检验的过程包括：

比较某个存储区域中，所有的存储单位对应的环境温度与写入温度T₁之间的差值并根据数值大小进行排列，从大到小依次对存储单位进行数据扫描、检验得到误码率。

本发明提供的基于温差均衡的数据恢复方法，还可以具有这样的特征，其中，数据恢复过程包括：

当数据误码率达到阈值，但未超过存储芯片自身的硬件ECC纠错能力时，启动硬件ECC纠错，将完整恢复的数据再回写到新的存储单位中，同时记录下写入时的写入温度T₁；

当数据误码率超过存储芯片自身的硬件ECC纠错能力，启动额外的数据恢复机制来恢复数据。

本发明提供的基于温差均衡的数据恢复方法，还可以具有这样的特征，其中，设定存储芯片自身的硬件ECC纠错能力为70-85％的误码率。