[发明专利]OLED显示面板及其制作方法在审
申请号: | 201811081518.7 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN109378400A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 吴波;蔡丰豪;朱春光;葛鑫;刘腾飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 显示区域 有机层 挡墙 封装部 非显示区域 有机溶液 抗水氧 围挡 制作 环绕 阻挡 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括显示区域,以及位于所述显示区域外侧的非显示区域;
OLED层,设置于所述基板的显示区域内;
封装部,设置于所述OLED层上方,所述封装部包括有机层和环绕所述有机层设置的至少一个挡墙;
其中,所述挡墙设置于所述基板的非显示区域内,所述有机层位于所述挡墙的围挡空间内。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述挡墙的横截面呈倒梯形结构。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述挡墙的形成材料包括聚苯乙烯。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述封装结构还包括第一无机层与第二无机层;
所述第一无机层覆盖所述OLED层并延伸至所述基板的非显示区域;
所述挡墙形成于所述第一无机层上;
所述有机层形成于所述挡墙的围挡空间内;
所述第二无机层覆盖所述有机层与所述挡墙。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二有机层覆盖所述挡墙的侧边并与所述第一无机层接触。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述挡墙设置于所述非显示区域的边缘。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述挡墙的高度大于2微米并小于4微米。
8.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
步骤S10、提供一基板,所述基板包括显示区域以及位于所述显示区域外侧的非显示区域;
步骤S20、在所述基板上形成OLED层,所述OLED层设置于所述显示区域内;
步骤S30、在所述基板上方形成覆盖所述OLED层的第一无机层,并在所述第一无机层上形成至少一个挡墙,在所述挡墙的围挡空间内形成有机层,在所述第一无机层的上方形成覆盖所述有机层和所述挡墙的第二无机层;
其中,所述挡墙的横截面呈倒梯形结构。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述挡墙的形成材料为光阻材料,所述步骤S30包括:
在所述第一无机层的表面涂布光阻层,采用光罩工艺将所述光阻层图案化以形成所述挡墙。
10.根据权利要求9所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述挡墙的制作材料为聚苯乙烯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择