[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包含基板、通道层、主动层以及栅极电极。通道层具有位于该基板上的一鳍部。主动层至少位于通道层的鳍部上。主动层用以沿着通道层与主动层之间的介面，使二维电子气形成于通道层中。栅极电极接触通道层的鳍部的侧壁。

技术领域

本揭露是关于半导体装置及其制造方法。

背景技术

在半导体科技中，由于其特性，三五族半导体化合物用以形成各种集成电路装置，例如高功率场效晶体管、高频晶体管、或高电子移动速度晶体管。高电子移动速度晶体管是一种以两种不同能隙的材料的接面(例如异质接面)作为通道的场效晶体管，而不同于常见的金属氧化物半导体场效晶体管以掺杂区作为通道。相较于金属氧化物半导体场效晶体管，高电子移动速度晶体管有多种吸引人的特质，包含高电子移动率且能在高频传输信号等。

发明内容

本揭露的部分实施方式提供一种半导体装置包含基板、通道层、主动层以及栅极电极。通道层具有位于该基板上的一鳍部。主动层至少位于通道层的鳍部上。主动层用以沿着通道层与主动层之间的介面，使二维电子气形成于通道层中。栅极电极接触通道层的鳍部的侧壁。

附图说明

从以下详细叙述并搭配附图检阅，可理解本揭露的态样。应注意到，多种特征并未以产业上实务标准的比例绘制。事实上，为了清楚讨论，多种特征的尺寸可以任意地增加或减少。在说明书及附图中，相似的标号代表相似的特征。

图1为根据本揭露的部分实施方式的形成高电子移动速度晶体管的方法的流程图；

图2至图6B绘示根据本揭露的部分实施方式的形成高电子移动速度晶体管的方法中的各个阶段；

图7为根据本揭露的部分实施方式的形成半导体装置的方法的流程图；

图8为根据本揭露的部分实施方式的半导体装置的剖面示意图；

图9为根据本揭露的部分实施方式的高电子移动速度晶体管的剖面示意图。

具体实施方式

以下本揭露将提供许多个不同的实施方式或实施例以实现所提供的专利标的的不同特征。许多元件与设置将以特定实施例在以下说明，以简化本揭露。当然这些实施例仅用以示例而不应用以限制本揭露。举例而言，叙述“第一特征形成于第二特征上”包含多种实施方式，其中涵盖第一特征与第二特征直接接触，以及额外的特征形成于第一特征与第二特征之间而使两者不直接接触。此外，于各式各样的实施例中，本揭露可能会重复标号以及/或标注字母。此重复是为了简化并清楚说明，而非意图表明这些讨论的各种实施方式以及/或配置之间的关系。

更甚者，空间相对的词汇，例如“下层的”、“低于”、“下方”、“之下”、“上层的”、“上方”等相关词汇，于此用以简单描述元件或特征与另一元件或特征的关系，如图所示。在使用或操作时，除了图中所绘示的转向之外，这些空间相对的词汇涵盖装置的不同的转向。或者，这些装置可旋转(旋转90度或其他角度)，且在此使用的空间相对的描述语可作对应的解读。