[发明专利]非挥发性存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，其特征在于，包含有：

背电极，设置于基底中；

第一石墨烯带状层，设置于该基底上；

介电层，覆盖该第一石墨烯带状层的一部分，但暴露出该第一石墨烯带状层的另一部分；

第二石墨烯带状层，设置于该第一石墨烯带状层上方，其中该第二石墨烯带状层包含悬臂部连接二末端部，且该悬臂部位于该第一石墨烯带状层被暴露出的该另一部分正上方；以及

多孔介电层，设置于该介电层上且密封该悬臂部。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该介电层包含紫外光解离介电层，其中该紫外光解离介电层由下而上包含堆叠的第一紫外光解离介电层以及第二紫外光解离介电层，且该二末端部分别夹置于该第一紫外光解离介电层以及该第二紫外光解离介电层之间。

3.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中该紫外光解离介电层包含紫外光感光介电层。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该多孔介电层密封该悬臂部，但不接触该悬臂部。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该多孔介电层包含超低介电常数介电层。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储器，还包含：

第一接触插塞连接该第二石墨烯带状层的该二末端部，而第二接触插塞连接该第一石墨烯带状层的二末端部。

7.如权利要求6所述的非挥发性存储器，其中该背电极包含字线，该些第一接触插塞电连接位线，而该些第二接触插塞电连接释放线。

8.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中该悬臂部包含弯曲部，其中该弯曲部较该二末端部靠近该第一石墨烯带状层。

9.一种形成非挥发性存储器的方法，包含有：

依序形成第一石墨烯带状层、第一介电层、第二石墨烯带状层、第二介电层以及多孔介电层于基底上；

形成硬掩模层覆盖该多孔介电层但暴露出该多孔介电层的部分；以及

进行处理制作工艺，移除该多孔介电层暴露出的该部分正下方的该第二介电层的一部分以及该第一介电层的一部分，因而由该多孔介电层暴露出的该部分正下方的该第二石墨烯带状层的该部分形成该第二石墨烯带状层的悬臂部。

10.如权利要求9所述的形成非挥发性存储器的方法，其中该多孔介电层密封该悬臂部，但不接触该悬臂部。

11.如权利要求9所述的形成非挥发性存储器的方法，其中该多孔介电层包含超低介电常数介电层，而该第一介电层包含第一紫外光解离介电层，且该第二介电层包含第二紫外光解离介电层。

12.如权利要求11所述的形成非挥发性存储器的方法，其中该第一紫外光解离介电层包含第一紫外光感光介电层，且该第二紫外光解离介电层包含第二紫外光感光介电层。

13.如权利要求9所述的形成非挥发性存储器的方法，其中该处理制作工艺包含紫外光照射制作工艺。

14.如权利要求9所述的形成非挥发性存储器的方法，其中该硬掩模层包含不透明硬掩模层。

15.如权利要求14所述的形成非挥发性存储器的方法，其中该硬掩模层包含金属硬掩模层。

16.如权利要求9所述的形成非挥发性存储器的方法，形成该第一石墨烯带状层的步骤包含：

全面覆盖第一石墨烯层于该基底上；以及

图案化该第一石墨烯层以形成该第一石墨烯带状层。