[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

一上电极，其包含凸伸设置于该上电极的一面且连接等离子体源的多个柱状电极，于该上电极的中心区域具有一个等离子体空乏区，于该等离子体空乏区内无柱状电极，由该等离子体空乏区最外围至该上电极周缘的范围内设有多个该柱状电极，由该多个柱状电极产生一环形等离子体分布区，该等离子体空乏区最外围至该上电极周缘的范围内形成一等离子体处理区；以及

一下电极，具有包覆有介电材质的内藏式电极，该下电极接地且被驱动旋转，

其中，该内藏式电极为一环形件，其所形成的圆环形轨迹的中心圆形区域相对应于该等离子体空乏区，其所形成的圆环形轨迹的外缘直径等于或大于位于最外围的该柱状电极所形成的圆环形轨迹的外缘直径，其所形成的圆环形轨迹的内缘直径等于或小于位于最内围的该柱状电极所形成的圆环形轨迹的内缘直径。

2.一种等离子体处理装置，包括：

一上电极，其包含凸伸设置于该上电极的一面且连接等离子体源的多个柱状电极，于该上电极的中心区域具有一个等离子体空乏区，于该等离子体空乏区内无柱状电极，由该等离子体空乏区最外围至该上电极周缘的范围内设有多个该柱状电极，由该多个柱状电极产生一环形等离子体分布区，该等离子体空乏区最外围至该上电极周缘的范围内形成一等离子体处理区；以及

一下电极，具有包覆有介电材质的内藏式电极，该下电极接地且被驱动旋转，

其中，该内藏式电极为至少一圆形件，其所形成的圆环形轨迹的中心圆形区域相对应于该等离子体空乏区，其所形成的圆环形轨迹的外缘直径等于或大于位于最外围的该柱状电极所形成的圆环形轨迹的外缘直径，其所形成的圆环形轨迹的内缘直径等于或小于位于最内围的该柱状电极所形成的圆环形轨迹的内缘直径。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其中该内藏式电极由布置成环形的多个圆形件组成。

4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中该内藏式电极的直径等于或大于预处理的工件的直径。

5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中该上电极包括一座体，为导电材质，该多个柱状电极设置于该座体的一面，该座体设有第一冷却流道；每一该柱状电极的轴向中心设有一第二冷却流道与该第一冷却流道相通形成一冷却路径。

6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中该等离子体空乏区的范围内分布有多个气孔。

7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中该上电极与该下电极之间设有一屏蔽，该屏蔽包括：

一腔体，呈环状，其内径大于该上电极与该下电极的外径，该腔体设有至少一气孔；

一支撑架，呈中空环形，连结于该腔体；以及

一连动装置，驱动该腔体与该支撑架同步移动。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其中该上电极的气孔、该上电极与该下电极间的等离子体产生区、该腔体的气孔和该腔体的内部形成一相连通的工艺气体通路。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其中该上电极的气孔与该腔体的内部其中之一连接于一工艺气体的气体混合槽，另一则连接于一尾气处理系统。

10.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其中该腔体设有阀门控制工艺气体进出该腔体的方向。

11.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其中该连动装置控制该腔体平行一第一方向于一工艺位置与一进出料位置间往复移动，该第一方向平行于该柱状电极的轴向且垂直于水平面，当该腔体位于该工艺位置时，该腔体的下缘与该下电极的顶面切齐或高于该下电极的顶面，当该腔体位于该进出料位置时，该腔体的下缘高于下电极的顶面。

12.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其中该腔体与该支撑架的材质为金属或介电材质。