[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201811086414.5 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109244113B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 汪衎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括主要显示区和次要功能区,所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧,所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分包括:
一基板;
第一导电层,设于所述基板背离所述主要显示区的一面;
第二导电层,设于所述基板指向所述主要显示区的一面;
导通层,贯穿所述基板,电连接所述第一导电层的线路与所述第二导电层的线路;
驱动电路板,设于所述第一导电层背离所述主要显示区的一面;
其中,所述第二导电层内的线路与所述主要显示区的线路电连接;所述驱动电路板的线路与所述第一导电层的线路电连接;
所述阵列基板通过以下步骤制备:
提供第一基板,所述第一基板设置有主要显示区和次要功能区,所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧;
在所述第一基板的次要功能区内制备柔性层;
在所述柔性层上制备剥离层,所述剥离层覆盖所述柔性层;
在所述剥离层上制备第一导电层;
在所述第一基板的次要功能区内制备第二基板,所述第二基板覆盖所述第一导电层;
在所述第二基板上制备导通层以及第二导电层,并使所述第一导电层通过所述导通层与所述第二导电层导通;
剥离所述第一基板、所述柔性层以及所述剥离层;
将驱动电路板贴合在所述第二基板与所述第一导电层的表面,并使所述驱动电路板与所述第一基板上的主要显示区导通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分还包括一绝缘层,所述绝缘层设于所述基板与所述第二导电层之间,所述导通层贯穿所述基板以及所述绝缘层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层包括无机绝缘层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分还包括一封装层,所述封装层覆盖所述第二导电层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述基板包括一柔性基板。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电层与所述导通层在同一道工艺内形成。
7.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述导通层为对所述基板进行掺杂形成。
8.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板设置有主要显示区和次要功能区,所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧;
在所述第一基板的次要功能区内制备柔性层;
在所述柔性层上制备剥离层,所述剥离层覆盖所述柔性层;
在所述剥离层上制备第一导电层;
在所述第一基板的次要功能区内制备第二基板,所述第二基板覆盖所述第一导电层;
在所述第二基板上制备导通层以及第二导电层,并使所述第一导电层通过所述导通层与所述第二导电层导通;
剥离所述第一基板、所述柔性层以及所述剥离层;
将驱动电路板贴合在所述第二基板与所述第一导电层的表面,并使所述驱动电路板与所述第一基板上的主要显示区导通。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,在所述第一基板的次要功能区内制备第二基板的步骤之后,还包括:在所述第二基板上制备绝缘层。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述在所述第二基板上制备导通层以及第二导电层的步骤包括:
在对应所述第一导电层的部分区域内,对所述第二基板以及所述绝缘层进行蚀刻;蚀刻区域漏出所述第一导电层;
在所述绝缘层上制备所述第二导电层;所述第二导电层覆盖所述绝缘层以及所述蚀刻区域内的第一导电层;所述蚀刻区域内所述第一导电层与所述第二导电层的连接部形成所述导通层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的