[发明专利]掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法

说明书

一种掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法，其中掩膜版包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围；位于所述相移槽口底部基板表面的相移层。所述掩膜版的性能得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法。

背景技术

光掩膜基板是制作微细光掩膜图形的理想感光性空白板，通过光刻制板工艺可以获得所需的掩膜版。

掩膜版的应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩膜版，如IC(Integrated Circuit，集成电路)、FPD(Flat Panel Display，平板显示器、PCB(PrintedCircuit Boards，印刷电路板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)等。

然而，现有的掩膜版的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法，以提高掩膜版的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版，包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围；位于所述相移槽口底部基板表面的相移层。

可选的，所述相移层的材料包括硅化钼。

可选的，所述相移层的厚度为67纳米～68纳米。

可选的，所述相移层的透光率为5％～7％。

可选的，光通过所述相移层可发生180度的相位移动。

可选的，所述相移层还位于所述开口周围且位于挡光层和所述基板之间。

可选的，所述相移槽口底部的相移层的中心与所述开口组所包围的区域的中心重合。

可选的，所述开口组中开口的数量为四个，四个开口排列成矩阵形。

可选的，一个所述开口组中若干开口包围一个相移槽口。

可选的，所述基板的材料为透光石英玻璃。

本发明还提供一种掩膜版的制作方法，包括：提供基板；在所述基板上形成挡光层和相移层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围，所述相移层位于所述相移槽口底部基板表面。

可选的，形成所述相移层和所述挡光层的方法包括：在所述基板表面形成相移初始膜；在所述相移初始膜的表面形成挡光初始膜；在挡光初始膜的表面形成第一光刻胶图层；以第一光刻胶图层为掩膜对所述挡光初始膜进行刻蚀直至暴露出相移初始膜的表面，且使挡光初始膜形成所述挡光层；形成所述挡光层后，去除第一光刻胶图层；去除第一光刻胶图层后，在所述挡光层和所述相移初始膜上形成第二光刻胶图层，第二光刻胶图层暴露出所述开口底部的相移初始膜且填充满所述相移槽口；以第二光刻胶图层为掩膜刻蚀所述开口底部的相移初始膜直至暴露出基板表面，使相移初始膜形成所述相移层；以第二光刻胶图层为掩膜刻蚀所述开口底部的相移初始膜后，去除第二光刻胶图层。

本发明还提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成光阻膜；采用上述任意一项所述的掩膜版对所述光阻膜进行光刻，使所述光阻膜形成光阻层，所述光阻层中具有对应所述开口位置的光阻开口。