[发明专利]一种用于CMP制程的清洗装置及其清洗方法

权利要求书

1.一种用于CMP制程的清洗装置，其特征在于，包括依次连接的前段化学品清洗装置、超纯水超声波洗净装置、超纯水漂洗装置以及后续干燥装置，所述超纯水超声波洗净装置与超纯水漂洗装置分别连接有功能性超纯水加气产生装置；

所述超纯水超声波洗净装置对CMP制程后的晶圆进行清洗；

所述超纯水漂洗装置对超纯水超声波洗净装置清洗后的晶圆进行漂洗；

所述功能性超纯水加气产生装置分别向超纯水超声波洗净装置和超纯水漂洗装置供给超纯水。

2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括：

前段化学品清洗装置，用于对CMP制程后晶圆表面的化学品残留物进行前段清洗；

传送装置，用于将晶圆由前段化学品清洗装置依次传递至超纯水超声波洗净装置、超纯水漂洗装置以及后续干燥装置；

后续干燥装置，用于对经过清洗与漂洗的晶圆进行后续干燥处理。

3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述超纯水超声波洗净装置与超纯水漂洗装置采用的超纯水为特定功能超纯水，所述特定功能超纯水通过在超纯水中注入二氧化碳、氢气、臭氧中的一种或多种气体制得，用于清除CMP制程后晶圆表面残留的化学品残留物。

4.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述超纯水超声波洗净装置为低电阻值功能性清洗装置，且包括衔接功能性超纯水的管路、晶圆操作存取机械手臂以及操作环境洁净装置。

5.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述超纯水超声波洗净装置连接有功能性超纯水管路，所述功能性超纯水管路通过一套功能性超纯水加气产生装置送出且用于清洗CMP制程后晶圆上的化学品残留物。

6.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述超纯水漂洗装置为低电阻值功能性漂洗装置，且包括衔接功能性超纯水的管路、晶圆操作存取机械手臂以及操作环境洁净装置。

7.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，所述超纯水漂洗装置与所述功能性超纯水管路相连，且对经过超纯水超声波洗净装置清洗后的晶圆进行承接与漂洗，并将漂洗完成后的晶圆传送到晶圆干燥装置进行干燥。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的清洗装置，其特征在于，所述功能性超纯水加气产生装置包括气体调压阀、气体超级过滤器、流量控制阀、电阻值传感器、流量传感器、压力传感器、气体注入装置、控制模组装置、超纯水进口、超纯水出口、气体进口以及内部连通管路。

9.一种用于CMP制程的清洗方法，其特征在于，包括：

利用超纯水对CMP制程晶圆表面的化学品残留物进行超声波清洗；

利用超纯水对超声波清洗后的晶圆进行漂洗；

对经过清洗与漂洗的晶圆进行烘干处理。

10.根据权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，采用的超纯水为特定功能超纯水，所述特定功能超纯水通过在超纯水中注入二氧化碳、氢气、臭氧中的一种或多种气体制得，用于清除CMP制程后晶圆表面残留的化学品残留物。