[发明专利]一种硒化铟晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种硒化铟晶体管的制造方法，包括如下步骤：

准备半导体衬底；

在半导体衬底上形成栅极；

在栅极上沉积复合介质层，沉积复合介质层包括依次从下到上沉积二氧化铪第一介质层和PMMA第二介质层；该第一介质层的厚度为20-40nm；该第二介质层的厚度为200-300nm；

在复合介质层上形成InSe二维半导体层；

在半导体层上形成源/漏电极；

在半导体层和源/漏电极上形成PMMA第三介质层，该第三介质层的厚度为200-300nm,形成硒化铟晶体管。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，栅极是钛/金薄膜，或者为直接在半导体衬底上通过重掺杂形成的栅极部。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第一介质层的方法为原子层沉积；形成第二介质层的方法为旋涂，并在旋涂之后烘烤；形成第三介质层的方法为旋涂，并在旋涂之后烘烤。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成InSe薄膜 的方法包括，将块体InSe材料放置在胶带上，反复黏撕胶带，然后将胶带黏在半导体衬底上，撕去胶带，得到形成在半导体衬底上的InSe薄膜。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成源/漏电极的方法包括，在InSe薄膜上用shadowmask定义出源/漏电极位置，然后将其放置在电子束蒸发沉积系统中，蒸镀钛/金材料形成源/漏电极。

6.一种硒化铟晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在半导体衬底上设置有栅极；

在栅极上设置有复合介质层；该复合介质层从下到上依次包括二氧化铪第一介质层和PMMA第二介质层；该第一介质层的厚度为20-40nm；该第二介质层的厚度为200-300nm；

在复合介质层上具有InSe二维半导体层；

在半导体层上及其侧部具有源/漏电极；

在半导体层和源/漏电极上具有PMMA第三介质层；该第三介质层的厚度为200-300nm。