[发明专利]数据存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造数据存储器件的方法，该方法包括：

提供包括单元区域和外围电路区域的基板；

在所述基板的所述单元区域和所述外围电路区域上形成数据存储层；

在所述数据存储层的形成在所述外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；

在所述数据存储层和所述掩模层上形成顶电极层；

图案化所述顶电极层以在所述单元区域上形成多个顶电极；以及

使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模来图案化所述数据存储层，以在所述单元区域上形成多个数据存储部分，

其中，当图案化所述顶电极层时，所述外围电路区域上的所述掩模层用作蚀刻停止层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述基板和所述数据存储层之间形成层间电介质层，

其中图案化所述数据存储层包括蚀刻所述层间电介质层的上部，并且

其中在图案化所述数据存储层之后，所述层间电介质层的形成在所述单元区域上的第一部分的顶表面位于与所述层间电介质层的形成在所述外围电路区域上的第二部分的顶表面的水平不同的水平处。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，当图案化所述数据存储层时，所述外围电路区域上的所述掩模层保护所述掩模层下面的所述层间电介质层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述基板和所述数据存储层之间形成底电极层，

其中使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化所述数据存储层包括：图案化所述底电极层以形成多个底电极。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述基板的所述单元区域上形成存储晶体管；

在所述基板的所述外围电路区域上形成外围晶体管；以及

形成电连接到所述存储晶体管的单元接触插塞，

其中所述数据存储层形成在所述单元接触插塞上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述数据存储层包括执行离子束蚀刻工艺。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，当执行所述离子束蚀刻工艺时，所述掩模层从所述外围电路区域去除。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述数据存储层包括：

固定层，具有被固定的磁化方向；

自由层，具有可变的磁化方向；以及

隧道势垒，在所述固定层和所述自由层之间。

9.一种制造数据存储器件的方法，该方法包括：

提供包括第一区域和第二区域的基板；

在所述基板的所述第一区域和所述第二区域上形成第一层间电介质层；

在所述第一层间电介质层上形成数据存储层；

在所述数据存储层的形成于所述第二区域上的部分上选择性地形成掩模层；

在所述数据存储层和所述掩模层上形成顶电极层；

图案化所述顶电极层以在所述第一区域上形成多个顶电极；以及

使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模来图案化所述数据存储层，以在所述第一区域上形成多个数据存储部分，

其中，在图案化所述数据存储层期间，所述第一层间电介质层的上部被蚀刻，使得所述第一层间电介质层的形成在所述第一区域上的第一部分具有在与所述第一层间电介质层的形成在所述第二区域上的第二部分的顶表面的水平不同的水平处的顶表面。

10.根据权利要求9所述的方法，其中图案化所述顶电极层包括暴露所述第二区域上的所述掩模层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一层间电介质层具有侧壁，所述侧壁将所述第一层间电介质层的形成在所述第一区域上的所述第一部分的顶表面连接到所述第一层间电介质层的形成在所述第二区域上的所述第二部分的顶表面，并且

其中所述侧壁具有相对于所述基板的顶表面的35度至90度的角度。